硅片纳米磨削过程中磨粒切削深度的测量.pdfVIP

维普资讯 2006 10J】 金刚石与磨料磨具1：程 October．20o6 第 155期 第5期 Diamond AbrasivesEngineering Seria1．155 No．5 文章编号：1006—852X(2006)05—0069—05 硅片纳米磨削过程中磨粒切削深度的测量 霍凤伟 康仁科 赵福令 金洙吉 郭东明 (大连理工大学精密与特种加_T教育部重点实验室，辽宁 大连 l16024) 摘 要 分析了硅片纳米磨削过程中磨粒切削深度的特点，采用基于扫描白光干涉原理的三维表面轮廓仪对磨削后硅 片表面的磨削沟槽的深度和宽度进行了测量 ，进而对磨削沟槽的深度和未变形切屑的横截面的宽高比进行 了统计分析。 研究表明，采用硅片自旋转磨削方法对硅片进行纳米磨削时，参与切削的磨粒数量极少，起主要切削作用的磨粒只占有 效磨粒数量的一小部分，此部分磨粒的切削深度大于砂轮的切削深度，甚至可达后者的2倍；未变形切屑的截面为三角 形，其宽高比在21～153之间，平均值为69。 关键词 硅片；纳米磨削；磨粒切削深度；未变形切屑厚度 ；未变形切屑宽高比 中图分类号 TG58 文献标识码 A M easurementofthecutdepth ofgraininnano——grindingofsiliconwafers HuoFengwei KangRenke ZhaoFuling JinZhujiGuoDongrning (KeyIxLboratoryforPrecisionNontraditionalMachiningofMinistryofEducation， DalianUniversityofTechnology，Dalian116024，China) Abstract Thecharacteristicsofthecutdepthofgraininnano—grindingofsiliconwaferswereanalyzed．Thedepthandwidthof thegroovesoftheground siliconwaferweremeasured bya31)non—contactprofilonleterbasedonscanningwhitelightinterfe rometry．Thergoundrgoovesandtheratioofchipwidthtothicknesswerestatisticallyanalyzed．Theresultsshowthat(1)A smallnumberofdiamondgrainsareactiveduringthenano一 ndingofsiliconwafers；(2)Asmallportionofactivegrainsre— nlovedmostofthemateria1．Th ecutdepthofgrainofthesmallportionofactivegrainsislargerthanthenominalcutdepthof whee1．andmaybeuptotwiceasmuchasthelatter；(3)thecross—sectionshapeoftheundeformedchipthicknessistriangular， andtheratioofchipwidthtothicknessisbetween21and153，withameanvalueof69． Keywords siliconwafers；nano—grinding；graindepthofcut；nndeformedchipthickness；ratioofchipwidthtothickness 低亚表面损伤