金刚石膜%2f硅复合基片的制备工艺研究.pdfVIP

2011年 12月 第6期 金刚石与磨料磨具工程 Dec．20ll 第31卷 总第 186期 Diamond ＆AbrasivesEngineering No．6 Vo1．31 Seria1．186 文章编号 ：1006—852X(2011)06—0067—04 金刚石N ／硅复合基片的制备工艺研究 王志娜 ．-， 李国华 ， 王朝阳 ， 姜 龙 一， 张瑞芹 (1．河北省激光研究所，石家庄 050081) (2．河北普莱斯曼金刚石科技有限公司，石家庄 050081) 摘要 通过等离子体喷射法硅衬底制备金刚石的试验 ，研究了硅片规格、硅片前期预处理、金刚石膜沉积 以及后期热处理等对制备复合基片性质和裂纹产生的影响，对各个工序进行优化和改进 ，确定 了制备金 刚石膜／硅复合基片最佳的工艺流程。实验结果表明：在硅基片制备的金刚石膜厚度大于20 m，抛光后 金刚石膜表面粗糙度尺 达到5．2nm，剩余金刚石膜厚度大于 10L卜m，平面度小于30txm，复合基片各项 指标均达到电子器件制作的技术要求。 关键词 等离子体喷射法；金刚石膜／硅复合基片；裂纹 中图分类号 TQ164 文献标志码 A Preparationofdiamond film ／Sicompositesubstrate WANG Zhi-an'， LIGuo-hua'， WANG Zhao-yang ， JIANG Long，， ZHANG Rui—qin， (1．HebeiInstituteofLaser，Shjiiazhuang050081，China) (2．HebeiPlasmaDiamondTechnologyCo．，Ltd．，Shijiazhuang050081，China) Abstract DiamondfilmsweredepositedonSisubstratebyplasmajet．Theinfluenceofsizeandpretreatment methodofsiliconwafer，aswellasdiamondfilm depositionandheattreatmentonthecharacteristicsandcrackof compositesubstratewere investigated．Thefabrication processesforthediamond film／Sicompositesubstrates wasoptimized．Theresultsshowedthat：thethicknessofdiamondfilm depositedonSisubstratewasmorethan 20 m．Afterpolishing，thesurfaceroughness(R )ofdiamondfilmreached5．2rim．Thethicknessofresidual diamondfilm wasmorethan10Ixm andtheflatnesswaslessthan30 m．Theindexesofcompositesubstrates mettechnicalrequirementsofelectroniccomponents． Keywords plasmajet；diamondfilm／Sicompositesubstrates；crack 作。采用微波等离子体 CVD法易于在硅片上沉积金 0 引言 刚石膜，但沉积速率较慢，成本较高，而且国内尚难 以 金刚石具有许多优异的性能，是所有物质中声表 实现大尺寸沉积。等离子体喷射法具有快速沉积的特 面波传播速度最快的材料 ¨j，同时具有非常高的弹性 点，但热冲击较大易于使硅片碎裂。本文采用直流电 模量、很高的热导率和优 良