《表面工程技术》课程论文.docVIP

分子束外延技术原理及应用 引言 外延是指在单晶基片上生长出位向相同的同类单晶体（同质外延），或者生长出具有共格或半共格联系的异类单晶体（异质外延）。外延方法主要有气相外延、液相外延和分子束外延。 气相外延主要就是化学气相沉积在单晶表面的沉积过程。将外延层所需的化学组分以气相的形式，通过物理或化学变化在衬底上进行的外延生长晶体的驱动力是溶液的过饱和度。当衬底与溶液接触时，若溶液处于过饱和状态则会有溶质从溶液中析出。条件适宜时，析出的溶质就会在衬底上生长出外延层。是一种在晶体基片上生长高质量的晶体薄膜的新技术。在超高真空条件下，由装有各种所需组分的炉子加热而产生的，经小孔准直后形成的分子束或原子束，直接喷射到适当温度的单晶基片上，同时控制分子束对衬底扫描，就可使分子或原子按晶体排列层层地“长”在基片上形成薄膜表面形态的卵形缺陷，长须状缺陷及多晶生长难于控制两种以上V族元素，不利于批量生产该设备可以在各种衬底材料上实现各种材料薄膜的外延生长，可实现分子自组装、超晶格、量子阱、一维纳米线等工艺实施。分子束外延薄膜生长设备具有超高的真空环境，可在理想的环境下进行薄膜外延生长，它可以排除薄膜在生长时的各种干扰因素，得到理想的高精度薄膜。 Hg1xCdxTe薄膜，在制备过程中薄膜的厚度和组分如下表所示： 分子束外延Hg1xCdxTe样品的测试数据 样品编号 方位角 rad 晶格参数 nm 厚度 μm 组分x g1 0 0.646635 13.1 0.2342 Π/2 0.646631 g2 0 0.646671 10.6 0.2539 Π/2 0.646684 g3 0 0.646780 11.1 0.3030 Π/2 0.646785 g4 0 0.646792 10.7 0.3074 Π/2 0.646797 g5 0 0.646787 15.2 0.3154 Π/2 0.646783 g6 0 0.646826 11.1 0.3272 Π/2 0.646822 g7 0 0.646933 11.6 0.3830 Π/2 0.646930 g8 0 0.646966 12.1 0.4059 Π/2 0.646961 g9 0 0.647126 13.2 0.4840 Π/2 0.647129 g10 0 0.647259 13.6 0.5562 Π/2 0.647254 分子束外延的影响因素及相关分析 生长温度：以A1N为例说明生长温度对外延的影响，随着生长温度的提高，RHEED条纹更加纤细、更加细锐；在低温下，A1N表面有密集的小岛状晶粒结构，但随着温度的升高，小岛之间开始聚合，并形成大范围的原子力台阶，表明A1N薄膜在高温下有良好的二维生长模式；（002）和（102）面XRD半高宽结果进一步表明A1N薄膜的二维生长模式，且在高温下，A1N薄膜中的刃型位错密度大大减小。说明提高生长温度有助于提高A1N薄膜的晶体质量，获得平坦的表面。衬底温度InGaAs材料为例加以说明，衬底温度直接决定了InGaAs材料制备过程中In原子在界面间的渗析和In原子在外延层表面迁移，影响了IhGaAs外延材料的生长模式；生长速率影响着InGaAs外延层的质量。实验结果表明，通过调整衬底温度和生长速率，在衬底温度为500，生长速率为1200nm／h时，制备出的样品结晶质量和表面形貌最好。杨邦朝王文生薄膜物理与技术电子科技大学出版社1994 4．周子新《分子束外延》 摘选自《半导体光电》·1984年第02期 5.图片、数据参数及其他参考文献均选自百度文库