六存储器EM实验答案.docVIP

存储器EM实验 实验目的 1、了解存储器设备MM 2、使用小键区进行存储 图1 EM原理图 存储器EM 由一片6116RAM 构成，通过一片74HC245 与数据总线相连。存储器EM 的地址可选择由PC或MAR提供。 存储器EM 的数据输出直接接到指令总线IBUS，指令总线IBUS 的数据还可以来自一片74HC245。当ICOE为0 时，这片74HC245 输出中断指令B8。 连接线表 连接 信号孔 接入孔 作用 有效电平 1 J2座 J3座 将K23-K16接入DBUS[7:0] 2 IREN K6 IR,uPC写允许 低电平有效 3 PCOE K5 PC输出地址 低电平有效 4 MAROE K4 MAR输出地址 低电平有效 5 MAREN K3 MAR写允许 低电平有效 6 EMEN K2 存储器与数据总线相连 低电平有效 7 EMRD K1 存储器读允许 低电平有效 8 EMWR K0 存储器写允许 低电平有效 9 PCCK CLOCK PC工作脉冲 上升沿打入 10 MARCK CLOCK MAR工作脉冲 上升沿打入 11 EMCK CLOCK 写脉冲 上升沿打入 12 IRCK CLOCK IR,uPC工作脉冲 上升沿打入 实验1：PC/MAR 输出地址选择 置控制信号为： K5 (PCOE) K4 (MAROE) 地址总线 红色地址输出指示灯 0 1 PC输出地址 PC地址输出指示灯亮 1 0 MAR输出地址 MAR地址输出指示灯亮 1 1 地址总线浮空 0 0 错误, PC及MAR 同时输出 PC及MAR地址输出 指示灯亮 以下存贮器EM实验均由MAR提供地址 实验2：存储器EM 写实验 将地址0 写入MAR 二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据00H K23 K22 K21 K20 K19 K18 K17 K16 0 0 0 0 0 0 0 0 置控制信号为： K6 (IREN) K5 (PCOE) K4 (MAROE) K3 (MAREN) K2 (EMEN) K1 (EMRD) K0 (EMWR) 1 1 1 0 1 1 1 按CLOCK键, 将地址0 写入MAR 将地址11H写入EM[0] 二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据11H K23 K22 K21 K20 K19 K18 K17 K16 0 0 0 1 0 0 0 1 置控制信号为： K6 (IREN) K5 (PCOE) K4 (MAROE) K3 (MAREN) K2 (EMEN) K1 (EMRD) K0 (EMWR) 1 1 0 1 0 1 0 按CLOCK键, 将地址11H写入EM[0] 将地址1 写入MAR 二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据01H K23 K22 K21 K20 K19 K18 K17 K16 0 0 0 0 0 0 0 1 置控制信号为： K6 (IREN) K5 (PCOE) K4 (MAROE) K3 (MAREN) K2 (EMEN) K1 (EMRD) K0 (EMWR) 1 1 1 0 1 1 1 按CLOCK键, 将地址1 写入MAR 将地址22H写入EM[1] 二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据22H K23 K22 K21 K20 K19 K18 K17 K16 0 0 1 0 0 0 1 0 置控制信号为： K6 (IREN) K5 (PCOE) K4 (MAROE) K3 (MAREN) K2 (EMEN) K1 (EMRD) K0 (EMWR) 1 1 0 1 0 1 0 按CLOCK键, 将地址22H写入EM[1] 实验3：存储器EM 读实验 将地址0 写入MAR 二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据00H K23 K22 K21 K20 K19 K18 K17 K16 0 0 0 0 0 0 0 0 置控制信号为： K6 (IREN) K5 (PCOE) K4 (MAROE) K3 (MAREN) K2 (EMEN) K1 (EMRD) K0 (EMWR) 1 1 1 0 1 1 1 按CLOCK键, 将地址0 写入MAR 读EM[0] 置控制信号为： K6 (IREN) K5 (PCOE) K4 (MAROE) K3 (MAREN) K2 (EMEN) K1 (EMRD) K0 (EMWR) 1 1 0 1 1 0 1 EM[0]被读出: 11H 将地址1 写入MAR 二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据01H K