低温制备p-nc-Si(H)薄膜及其在太阳电池中的应用.pdfVIP

薄膜硅太阳电池及材料 ‘-187 低温制备p-nc-Si:,H薄膜及其在 太阳电池中的应用 李志刚’曾湘波2刁宏伟2叶晓军 ‘陈鸣波I 廖显伯2李红波’都国强’ t上海空间电源研究所 ’上海 200233 2中国科学院半导体研究所表面物理国家重点研究室 北京 1000830 【摘 要】 研究P型纳米硅薄膜材料带隙对硅基薄膜太阳电池性能的影响。采用等离子体 增强化学气相沉积 (PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition-PECVD)法制 备”型纳米硅薄膜，”层材料结构和性能由透射谱和XRD表征。节果表明， 50OC-r1000C的温度范围内沉积的P层薄膜，晶粒尺寸都在16nm左右，1500C 时，晶粒尺寸较大，达24.9nm,温度为500C.700C时，P层薄膜带隙较宽， 为1.84eV，晶粒在 (111)晶面优先生长;当温度高于1000C,薄膜从 (111) 晶面过渡到 (220)晶面生长，带隙变窄;1500C时，薄膜带隙为1.62eV，晶 粒在 (220)晶面优先生长。将优化的P层应用于单结不锈钢村底n-i-P 电池， 实验室小面积电池效率为8.2%(AM1.5)。 I关键词Ip-nc-Si:H 纳米硅 n-i-p电池 低温制备 PECVD Depositingp-nc-Si:HFilmatLowTemperatureandits ApplicationinSolarCells UZhigangZengXiangbo2DiaoHongwei2.YeXiaojun ChenMingboUaoXianbo2UHongboHaoGuogiang 1ShanghaiInstituteofSpacePowersources,Shanghai200233 2StatekeyLaboratoryforsurfacephysicsInstituteofSemiconductors,Beijing100083 0 引 言 在硅基薄膜电池的研究中，通过改变P型层的结构和组成来提高电池的开压，一直以来 都是人们的研究热点。理论上认为带尾态的复合对P-i-n结构太阳电池的开压起着基本的限制 作用，电池的开压由i层的电子和空穴费米能级差决定，最大开压为1.01O.1VM。但近年来， ·188· 中国太阳能光伏进展 实验上获得的单结电池开压已经超过了这一理论值。2005年，WenhuiDu,XianboLiao等2(1 报道了在n-i-p结构的非晶硅电池中，使用了厚度为15nm左右的p-nc-Si:H，获得了Vo。二 1.042V的电池。其制备方法为射频PECVD，生长条件是高氢稀释比、高功率密度、高气压 和低的衬底温度。2006年，XianboLiao等(31认为非晶硅电池的开路电压不仅仅由源于i层带 尾态的复合所限制，也取决于P层和p/i层界面的情况。’宽带隙的P层可以提高i层的内建电 场，从而提高电池的开压。本实验围绕获得适用于nip结构电池的p型纳米硅薄膜 (p-nc-Si: H)这一目标，重点研究了1500C以下的低温段，温度对P型层的结构和光电性能的影响， 在低温下获得了p-nc-Si:H薄膜，并把其应用于不锈钢衬底单结电池中，得到了在单结n-i-p 结构的非晶硅电池中应用p-nc-Si:H可以提高电池开压的结论。 1实 验 采用三室PECVD系统制备P型纳米硅薄膜材料和电池。P层样品的制备条件为 RF-PECVD，低硼掺杂浓度 (B2H6/SiH4=0.01)，高氢稀释比(H2/SiH4=100)，高气压500Pa, 高功率密度1.0W/c扩，低衬底温度 (选择500C,700C,1000C,1500C四个温度条件做对比 试验)。在同一温度条件下，放入7059玻璃、做电池用的不锈钢衬底 (SS)进行不同的测试。 单层膜的结构用不锈钢衬底上样品的XRD进行表征，XRD采用的波长为