GaAs%2fInP低温晶片键合技术的相关理论研究和测试.pdf

北京邮电人学砸J‘{i}f究生论文 GaAs／InP低温键合技术的相关理论研究和测试 摘要 半导体晶片键合技术是异质材料集成领域中一朵奇葩。它的出现 突破了异质外延生长技术在晶格匹配方面的限制，提高了器件设计自 由度。目前，该项技术已经被广泛应用于微电子、传感器、功率器件、 MEMS、光电子器件等领域。 本论文的工作是围绕以任晓敏教授为首席科学家的国家重点基础 研究发展计划(973计划)项目“新一代通信光电子集成器件及光纤 的重要结构工艺创新与基础研究”中的分课题“低温晶片键合及准 单片光电子集成技术的创新与基础研究”(项目编号： 材料”重大研究计划“GaAs、InP基功能楔形结构的材料工艺研究及 其在新型光电子器件中的应用”(项目编号等项目，以 及黄永清教授承担的国家高科技(863)计划项目“高性能InP基、 展开的。 本论文的研究对象是GaAs／InP的低温直接键合。选择这两种材料 进行直接键合的目的在于：GaAs／A1As具有较大的折射率差，良好的 热传导性，适于制作高质量的DBR，并且GaAs基的DBR生长工艺 已经成熟，还具有较低的热阻抗，其横向氧化物限制技术相对于I