MoSi2高温氧化层微观结构.pdfVIP

第 39卷 第 2期 金 属 学 玫 Vr01．39 NO．2 2003年 2月 126— 130页 ACTA M ETALLURGICA SINICA Feb． 2003 PP．126—130 MoSi2高温氧化层的微观结构 常 春 李木森 陈传 中 田雷言 (山东大学材料科学与工程学院，济南 250061) 摘 要 采用SEM，TEM 和XRD 方法研究了MoSi2在 1200-- 1600℃的氧化层微观结构．在 1240℃以下，氧化层由 Si02和其它氧化物混合而成，致密度较差． 124 一1520℃区间氧化层表面存在针状、扇状或羽状的低温石英，氧化层较薄． 在 1520℃以上，氧化层 中含有块状、粒状或蜂巢状的方石英，氧化层致密而均匀，增强了材料的抗氧化性能． 关键词 MoSi2，微观结构，氧化层，方石英 中图法分类号 TGlll，TG146．4 文献标识码 A 文章编号 0412—1961(2003)02—0126—05 M ICRoSTRUCTURE oF H IG H—TEM PERATURE oXIDATIoN LAYER oF M oI BD ENUM D ISILICIDE CHANG Chun，LIM usen，CHEN Chuanzhong，TIAN Leiyan CollegeofM aterialsScienceand Engineering，ShandongUniversity，Jinan 250061 Correspondent：CHANG Chun，associateprofessor，Tef (0531j2952955，Fax：(0531j2955999， E-mail：chanqchun@sud．edu．cn SupportedbyNationafNaturafScienceFoundationofChina(No M anuscriptreceived2002—04—15．in revisedform 2002-07—26 A BSTRACT ThemicrostructureofoxidativelayerofM oSi，at1200—1600 ℃ wasinvestigatedby SEM ，TEM andXRD ．Thesurfacelayerconsistsofthem ixtureofSiO2and otheroxidesunder1240 ℃ ． whichhaslow compactness．ThereiSneedlelike．flabelliform orpenniofrm low temperaturequartz inthesurfacelayerat1240—1520 ℃ ． andthelayeriSthin．Above 1520 ℃ theoxidativelayercontains mas s—like，granular—like orhoneycomb cristobaliteand iScompact，thick and homogeneous，SO the oxidateresistanceofMoSi2iSenhancedobviously． K EY W oRD S MoSi2，m icrostructure，oxidationlayer，cristobalite MoSi2是介于金属间化合物和陶瓷之间的材料，其原 1 实验方法 子结合方式为共价键与金属键的混合，熔点为 2030℃， 将致密烧结的 MoSi2 捧料，分别切割成为直径 在 1900℃以下为 Cllb型四方结构，一般空气介质中的 15mm× 20mm 的试样 ．试样两端磨平并抛光，经过 抗氧化温度约为 1700℃．MoSi2制成的电热元件，在使 超声清洗后备用．为了减少试样放置在空气中产生氧化对 用过程中表面生成 Si02保护层，减轻了基体的氧化 _lJ．