微电子器件热谱分析方法的的研究.pdf

山东大学博I：学位论史 摘要 使用电学方法探测微电予器件的峰值温度以及温度分布的不均匀性和不 均匀度，几十年来一直是困扰微电子学领域的科学技术难题。微电子器件中的 PN结势垒器件、肖特基势垒器件、场效应器件、半导体发光器件等，这些器 件发热均匀性和温度分布的均匀性，以及其对于半导体器件的参数的稳定性、 品质的可靠性以及器件、整片集成电路乃至整机和系统的寿命都有不可忽视甚 至决定性的影响，其对于航空、军事等很多领域的重要性也是不可动摇的。微 电子元器件的温度均匀与否是影响其热学性能、电学性能、可靠性乃至寿命的 重要因素，人们对这方面的研究越来越深入。 当前，测量微电子器件温度分布最准确的方法是红外热像法，即对芯片 拍摄红外热像图。然而这种方法一般应用于半成品器件的可靠性分析，对于暗 箱式封装的成品器件的测量则需要解剖后摄像，因此这种测量是破坏性的，甚 至有的是破坏了也不能测量，所以红外热像法不适合作为常规测量方法。而电 学方法既可以测量成品器件，又可以测量半成品器件，其对器件的测量可以是 非破坏、无损伤的，因而被广泛采用为技术标准方法。IEC标准羁采用的测量 器件温度的电学方法，简称为标准电学方法，该标准电学方法假设芯片温度分 布均匀为前提．规定整个芯片的温度由一个统一的温度值来代表，这个值可以 称之为标电结温。标准电学方法的优点是可操作性好，方便易行，比较和判断 被测器件的差异非常简单，只要比较一个参数(热阻)的大小就可以了，所以 至今流行于世。但标准电学方法的缺点也是显而易见的，即抹煞和掩盏了结温 分布的不均匀性，有时可能会出现误判和漏判的情况。 因而，研究探索一种方法同时具有电学方法的非破坏性无损伤探测的特 点，而又能像红外热像法那样可以探测器件的温度分布而不是单一温度值，便 成了非常有意义而又同时具有极大实用价值的研究。但是从上世纪70年代美 BJ 国国家标准局的D．L ackburn开始提出一种电学方法探测器件峰值结温的方 法设想，到上世纪90年代北京工业大学的吕长志、王明珠、高光渤等人在 Blackburn论文的基础上的继续深入研究，这期问也还有其他科研工作者从事 山东人学博Ij肇位论文 这个领域的研究，但都因为其方法存在的种种局限性丽无法继续深入，最终的 结果也不理想而没有得到推广。90年代中期，山东大学茁庆海教授等人发现 了小电流过趋热效应，并在此基础上找到了攻克该世界难题的突破口．经过多 年来的研究取得了突破性进展。本文中的研究内容难是基于攻克该世界技术难 题的研究目标，在此研究背景下而展开的。文中所呈现的热谱分析方法正是这 种使用纯电学方式探测器件温度分布不均匀性和不均匀度的方法。 晶体管热谱分析方法是一种使用纯电学方式探测芯片温度分布不均匀性 和不均匀度的方法，它继承了电学方法测量温度的优势，即对器件的测量是非 破坏性、无损伤的，既可以测量半成品也可以测量成品器件，同时它又具备了 红外热像法的关键优点，即可以获取器件的峰值结温、温度分布的不均匀性和 不均匀度信息。而且热谱分析方法在探测温度分布信息方面还有优于红外热像 法的地方，因为红外热像法虽然可以获得整个芯片的温度信息，对于温度分布 情况一幕了然，但是基于这种方法的可靠性判断缺乏必要的定量分析，尤其是 针对器件的有源区；而热谱分析方法，通过测量器件有源区的相关参数，结合 相对应的数理模型计算出器件的温度分布，给出相应的温度和对应的有效面 积。这是专门针对器件有源区进行定性定量分析的结果。而且，电学测试方法 响应速度较快可以测试器件的瞬态结温，而红外热像法响应速度较慢对于瞬态 结温的测量则不如电学方法。红外热像法由于是测量器件芯片表面的温度，对 于浅表面结的器件由于有源区到表面温度梯度较小其测量结果相对准确，但是 对于较深表面结的器件当纵向存在较大温度梯度时其测量结果则不再真实可 靠，然而对于电学测试方法，其测试电流正是通过器件有源区，因此它可以很 好的反映器件的有源区温度情况，其测量结果相对可靠。因此在对器件进行可 靠性分析判断方面，使用电学测试方法的热谱分析方法优予红外热像法，更优 于传统的标准电学方法，可以提供更准确可靠的信息。 在第一章绪论星，介绍了使用电学方法探测微电子器件温度以及温度分 布均匀性的研究背景和当前的研究现状以及本文选题的目的和意义。首次对标 准电学方法所测结温即标电结温的物