高压SOI-LIGBT器件热载流子效应的研究.pdfVIP

2013年全国博士生学术论坛一电子薄膜与集成器件 张春伟 刘斯扬 黄婷婷 于朝辉 孙伟锋中 (东南大学，电子科学与工程学院，南京210096) 摘要：本文详细研究了绝缘体上硅横向绝缘栅双极型器件的热载流子退化机理。首先，通过对不同应力条 件下器件的热载流子退化趋势和退化量的研究，发现横向绝缘栅双极型器件的最坏应力可以用结构和浓度分布 相同的横向双扩散金属氧化物半导体管的峰值衬底电流来评估。其次，对器件静态应力条件下的热载流子退化 进行了实验，并借助软件仿真分析了器件的退化杌理，研究发现，器件的热载流子退化主要发生在鸟嘴区，鸟 嘴区的热空穴注入主导了整个器件的导通电阻退化，使器件的导通电阻降低，并且，通过电荷泵实验对该退化 杌理进行了验证。最后，本文还对动态应力下器件的热载流子退化进行了研究．通过对动态应力进行分段并与 静态应力比较。发现在较快的开关态转换过程中器件的热载流子退化存在明显的瞬态效应。 关键词：绝缘栅双极型器件，最坏应力条件，动态应力。瞬态效应 l 干E—mail：swffrog@Sell．edu．cn电话：86—25—8379581 1 引言 工艺兼容、电流密度大和隔离效果好等优点。但是，为了提升器件的电流能力，节约工艺成本，通常在 器件设计时会把器件的尺寸压缩至极限。因此，器件内部容易出现大电场和强碰撞电离。对于横向器件， 器件热载流子效应的研究大多集中于对横向双扩散金属氧化物场效应半导体器件(LDMOS)热载流子退 件下的热载流子退化研究却鲜有报道。 的退化机理。最后，S01一LIGBT在不同上升下降沿的动态栅应力条件下的热载流子退化也被进一步研究， 结果显示在上升下降沿较快的情况下，器件的热载流子退化存在明显的瞬态效应。本文的研究对 论指导。 2器件结构 用于辅助器件的热载流子退化研究。 143 2013年全国博士生学术论坛一电子薄膜与集成器件 集电极 栅极 发射极衬底 HV’Nwell 露霪震纛黧凌瑟鎏鎏蘩羹雾黧蘑 P—sub 图1本文所用SOI．LIGBT器件剖面示意图 3实验及结果讨论 3．1S01．LIGBT器件的最坏应力条件 评估+个器件的热载流子效应需要在其最坏应力条件下对器件的寿命进行保守预测，所以一个器件 的最坏应力条件被广泛研究【5’6 J。对于一般的半导体器件，通常是用衬底电流来反应一个器件的碰撞电 离率的大小，进而反应器件的热载流子退化的严重程度。但是，IGBT器件本身就存在一股空穴电流会 淹没掉碰撞电离产生的衬底电流，所以无法用衬底电流反应其热载流子退化的大小。在小电流情况下， 器件内部的电场分布主要由器件的结构和杂质分布决定，所以，可以用器件结构和浓度分布(除了集电 我们对S01．LIGBT器件在不同栅压应力条件下器件的热载流子退化分别进行了实验，实验发现不同 应力条件下器件的退化趋势均相同，不同的只是其热载流子效应的严重程度和退化量的大小。在不同栅 电流曲线符合的很好，最坏应力为％。=3V处。因此，对于SOI—LIGBT器件，可以利用结构和浓度分布 完全相同的SOl—LDMOS器件的衬底电流来选取其热载流子退化的最坏条件。 ．2 5 。2．0装 蚓 ·1．5鼍