二维GaAs基光子晶体微腔的制作与光谱特性分析.pdfVIP

59 10 20 10 10 第 卷第 期 年 月 物 理 学 报 Vol . 59 ，No . 10 ，October 20 10 1000 -3290 / 20 10 / 59 (10 )/7073-05 ACTA PHYSICA SINICA 20 10 Chin . Phys. Soc . * 二维GaAs 基光子晶体微腔的制作与光谱特性分析 彭银生1)2 ) 叶小玲1) 徐 波1) 牛洁斌3 ) 贾 锐3 ) 王占国1) 梁 松1) 杨晓红4 ) 1)( ， ， 100083 ) 中国科学院半导体研究所 半导体材料重点实验室 北京 2 )( ， 3 10023 ) 浙江工业大学信息工程学院 杭州 3 )( ， 100029 ) 中国科学院微电子研究所 北京 4 )( ， ， 100083 ) 中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点实验室 北京 (2009 9 26 ;20 10 1 26 ) 年 月 日收到 年 月 日收到修改稿 InAs GaAs ， 研究了以 量子点为有源区的二维 基光子晶体微腔的设计与制作 测试并分析了室温下微腔的光谱 . 1137 nm ， 1 nm . 特性 观察到了波长约为 谱线半高宽度约为 的尖锐低阶谐振模式发光峰 我们比较了不同刻蚀条件 ， . 下光子晶体微腔的发光谱线 结果表明空气孔洞截面的垂直度是影响光子晶体微腔发光特性的重要因素之一 通 ， ， ， 过调节干法刻蚀工艺 改变空气孔半径与晶格常数的比率 可以在较大范围内调节谐振模式发光峰位置 达到谐振 模式与量子点发光峰调谐的目的. : ，GaAs ， ， 关键词 光子晶体微腔 量子点 谐振模式 PACC :4270 Q ，7855 ，4280 L 角度还是原材料成本来说，InP 体系的材料都无法 与 GaAs . 1. 引 言 体系相比拟 另外当用量子阱作为有源区