tft阵列金属电极的制备与性质.pdfVIP

第 15 卷　第 4 期 　 　　　　 　　液　晶　与　显　示　　　　　　　 V o l15, N o 4 2000 年 12 月 　　　 　　　　 . , 2000 Ch inese Jou rnal of L iqu id C rystals and D isp lays D ec 文章编号: (2000) TFT 阵列金属电极的制备与性能 1 1, 2 1, 2 1, 2 王大海 , 杨柏梁 , 吴　渊 , 刘传珍 , 1, 2 1 1 1 李牧菊 , 李轶华 , 张　玉 , 廖燕平 ( 1. 北方液晶工程研究开发中心, 吉林 长春　130021; 2. 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春　130021) 摘　要: 利用磁控溅射的方法制备了 、 、 、 、 等金属薄膜, 采用 、 、 C r T a A l M o M oW XRD SEM 四探针法等分析手段分析了薄膜的性能。讨论了衬底温度、反应气压、溅射功率、气体流量 等因素对薄膜质量的影响, 得到了制作 T FT 器件中优质金属电极的工艺参数。 关　键　词: 磁控溅射; T FT 器件; 溅射速率; 金属薄膜 中图分类号: TN 321. 5　　　文献标识码: A 1　引　　言 薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器(T FT AM L CD ) 以其高信息量、多灰度级及能实现 彩色视频显示成为目前信息显示领域的主导技术和研究开发的热点。随着 T FT L CD 向 大面积、高清晰度的发展, 对金属电极材料的要求也越来越高。一方面, 要求金属电极 [ 1 ] 的电阻要低, 以减小信号延迟所引起的图像失真 ; 另一方面, 金属电极越来越细也要 [ 2 ] 求金属薄膜的致密性、热稳定性和附着性要更好 。因此, 制备热稳定性和附着性好、 结构致密、电阻率低、表面和内部热应力小的金属薄膜便成为我们研究开发的重点。制 备金属薄膜的方法主要有真空蒸发、阴极溅射、高频溅射和磁控溅射等。其中, 磁控溅 射具有温度低、膜的附着性好、膜层均匀、工艺简单、重复性好等优点以及有效地克服 了阴极溅射速率低和电子使基片温度升高的致命弱点而得到了广泛应用。本文研究了磁 控溅射生长金属薄膜时, 溅射条件如气体流量、射频功率、衬底温度、反应气压等对薄 膜质量的影响。 2　制备原理[ 3 ] 2. 1　磁控溅射的原理 磁控溅射是在内电极间加了与电场方向垂直的磁场, 处于正交电场E 和磁场B 的带 ( ) 电粒子 以电子为例 因受电场力和洛沦兹力的影响, 其运动方程为: dy