ncSi∶HcSi量子点二极管中的共振隧穿特性分析.pdfVIP

　第 19 卷第 8 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 8　 V o l N o 　1998 年 8 月　　　　　　 　　　　　　 . , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S A ug - ∶ - 量子点二极管中 nc Si H c Si 的共振隧穿特性分析 1 2 2, 3 4 彭英才 　刘　明 　余明斌 　李月霞 5 2 奚中和 　　何宇亮 ( 1 河北大学电子与信息工程系　保定　071002) (2 北京航空航天大学非晶态物理与光信息研究室　北京　100083) (3 西安理工大学物理系　西安　710048) (4 中国科学院半导体研究所　半导体超晶格国家重点实验室　北京　100083) (5 北京大学无线电电子学系　北京　100871) ( ) ( ) 摘要　采用常规 工艺, 在 型单晶硅 衬底上沉积薄层纳米 膜, 并进而 PECVD N c Si Si nc Si 制备了 ∶ 量子点二极管. 在 10～ 100 温度范围内实验研究了该结构的 和 nc Si H c Si K V I 特性. 结果指出, 当反向偏压为- 7～ - 9 时, 无论在 还是在 特性曲线上都观测到 V V V I V 了近乎等间距的量子化台阶, 此起因于在 ∶ 膜中具有无序排布且粒径大小不一的 nc Si H Si 微晶粒中, 由于微晶粒中能级的量子化而导致的共振隧穿现象. 如果进一步改进膜层生长工 艺, 以制备出具有趋于有序排布、尺寸均匀和粒径更小的 微晶粒的 ∶ 膜, 有可能实 Si nc Si H 现更高温度范围内的共振隧穿. : 7340 ; 　 : 2520 , 2530 , 2560 PACC G EEACC F C X 1　引言 80 年代中后期以来, 随着介观体系物理研究的不断深入和选择外延生长技术的长足进 步, 关于半导体量子点微结构的输运性质研究引起了人们的浓厚兴趣, 其中共振隧穿、库仑