无压烧结碳化硅研究进展.pdfVIP

陶 瓷 无压烧结碳化硅研究进展 王 静 张玉军 龚红宇 (山东大学材料科学与工程学院 济南 250061) 摘 要 碳化硅具有 良好的高温性能以及化学稳定性 ，已广泛应用于许 多领域。综述 了无压烧结碳化硅烧结助剂体系 的 研究进展 ．综述了碳化硅原料种类 、烧结助剂种类及用量、成形工艺、烧结工艺对无压烧结碳化硅性能的影响 。 关键词 碳化硅 无压烧结 烧结助剂 烧结温度 TheDevelopmentofPressureless-- sinteredSiliconCarbide WangJing，ZhangYujun，GongHongyu(SchoolofMaterialsScienceandEngineering，ShandongUniversity，Jinan，250061) Abstract：Siliconcarbide，withexcellenthightemperaturestabilityandchemicalstability．hasbeenusedinvariousfields． Thedevelopmentofsinteringadditivesofpressureless--sinteredsiliconcarbidearesummarizedinthisarticle，includingthe effectsofdifferentkindsofsiliconcarbideraw materials，thekindsandcontentofsinteringadditives，moldingprocessand sinteringprocessonthepropertiesofpressureless--sinteredsiliconcarbide． Keywords：Siliconcarbide；Pressurelesssintering；Sinteringadditives；Sinteringtemperature 一 壳)”结构 ，G—SiC吞噬 a—SiC而沿特定的晶向生 前言 长，形成的晶体具有更好的长径 比，通过晶粒桥联起 到增韧作用。测试表明，长径 比在 3左右时，断裂韧 SiC共价性很强，Si—C键的离子性仅 为 1496／，Si 性可达到 8MPa·m [13。 — C键的高稳定度赋予它高的熔点、硬度及化学惰性， 致使烧结时的扩散速率相 当低 ，即使在 2100℃的高 1 碳化硅无压烧结工艺简介 温下，C和 Si的 自扩散系数也仅 为 1．5×10 。CITI／s 和2．5×10_1。CITI。／s。所以很难采取离子键结合材料 碳化硅的烧结工艺可分为固相烧结和液相烧结。 的单纯化合物通过无压烧结途径来制取高密度 SiC材 两种烧结工艺所得到的碳化硅陶瓷的结构及性能特点 料 ，必须采用一些特殊的工艺手段或依靠第二相物质 如表 1所示 。现将两种烧结方法的研究现状介绍如 促进烧结。SiC具有 a和 B两种晶型，它们具有不 同 下 。 的晶相结构 ，a—SiC是高温稳定六方晶体，G—SiC是 1．1 固相烧结工艺 低温稳定立方晶体，两种晶型均可作为制备 SiC的起 1974年 SProchazka通过在高纯度 的 G—SiC细 始粉体材料 ，但是 a—SiC的烧结致密化 比G—SiC容 粉 中同时加入少量 的 B和 C助剂 ，采用无 压烧结工 易得多。目前国内外采用改变初始微粉成分 ，将单纯 艺，在 2020C‘时成功地获得了密度高于 98 的碳化 的使用 a—SiC或 G—SiC改变为使用 p—SiC掺杂部 硅烧结体 。SProchazka认为B的添加量应选择在 0． 分 a—SiC，以a—SiC作为晶母，在液相烧结过程中