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材料导报
· 74 · 材料导报 2010年 5月第 24卷专辑 15
Sn量子点的研究进展
赵希磊 ，王科范，张伟风，顾玉宗
(河南大学微系统物理研究所和光伏材料省重点实验室，开封 475004)
摘要 Sn量子点可用-I-Vl4~-g电子器件、高密度存储单元、红外探测器以及发射器等，具有重要的 宛 i。：
0 。
意义。介绍了离子注入、分子束外延、磁控溅射和固相外延等各种制备Sn量子点的生长技术，综述了Sn量手点
f t
的光学性质、电学性质以及理论计算研究结果，指出了sn量手点研究面临的关键问题以及研究方向。 -
关键词 sn量子点 生长技术 光学性质 电学性质 理论计算
中图分类号：TN3041．054
ResearchDevelopmentofSnQuantum Dot
ZHAO Xilei，W ANG Kefan，ZHANGW eifeng，GU Yuzong
(InstituteofMicrosystemPhysics＆KeyLaboratoryofPhotovohaicMaterials，HenanUniversity，Kaifeng475004)
Abstract Snquantum dots(QDs)hasanimportantresearchsignificanceduetoitspotentialapplicationsfor
singleelectrondevices，high-densitystorageelements，infrareddetectorsandemitters，ete．ThegrowthtechniquesofSn
QDsareintroduced，includingionimplantation，molecularbeam epitaxy，magnetronsputteringandsolidphaseepitaxy．
Thentheresearchprocessonopticalproperty，electricalpropertyandtheoreticalcalculationarereviewed．Finally，the
existingproblemsanddevelopmenttrendforSnQDsresearchinfuturearesummarized．
． ．
Keywords Snquantum dot，growthtechnique，opticalproperty，electricalproperty，theoreticalcalculation
量子点可分为 a—Sn(灰锡 ，金刚石结构)量子点和 l~-Sn(白锡，
0 引言
四方结构)量子点，其体材料的转变温度为 13．2℃。a-Sn是
1988年 Reed等L1]测量了A1GaAs／GaAs异质结量子点 一 种直接窄带隙(E一0．08eV)半导体材料 ，由于载流子的有
结构的 V性质 ，首次观察到了与横向量子限制相关的共振 效质量很小，因此它 的带隙随量子点尺寸 的减小而迅速增
隧穿效应。2O年来 ，量子点体系一直是低维凝聚态
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