Al掺杂ZnO薄膜的制备及其电学性能研究.pdfVIP

· 356 · 材料导报 2009年 5月第23卷专辑砌 Al掺杂 Zno薄膜的制备及其电学性能研究 张 杨，范树景，王红英，李国晶，赵淑金 (佳木斯大学材料科学与工程学院，佳木斯 154007) 摘要 采用溶胶一凝胶法在玻璃基底上制备掺杂铝的氧化锌薄膜。研究了不同的铝掺杂浓度、薄膜厚度以及退火温 度对电阻率的影响，结果表明掺杂铝摩尔分数为 2 、退火温度在 550℃时电阻率最低，电阻率随着薄膜厚度的增加而减 小。通过 XRD和SEM 对薄膜的组织结构和形貌进行 了表征，结果表明样品表面相对平整、致密，AZO薄膜保持着 Zno 六角纤锌矿结构，说明了Al原子对Zn原子的有效替位。 关键词 AZO薄膜 溶胶一凝胶法 电学性能 中图分类号：0484 PreparationandElectricPropertiesofAluminum—dopedZnO ThinFilms ZHANGYang，FANShujing，WANG Hongying，LIGuojing，ZHAOShujin (DepartmentofMaterialsScienceandEngineering，JiamusiUniversity，Jiamusi154007) Abstract A1一dopedZnO thinfilmsarepreparedonglasssubstratesbysol—gelmethod，theeffectofdifferentA1 content，film thicknessandannealing temperatureon resistivityarediscussed，theresistivity decreasedwith increaseof thickness．Theresultsindicatethataminimum resistivity forthefilm isobtained dopingwith 2 AI，andannealingat 550~C．ThethinfilmsarecharacterizedbyscanningelectronmicroscopyandX-raydiffraction．Theresultsprovethatthe samplesaresmoothandcompact，theAZO thinfilmshasthesamecrystallinephaseashexagonalwurtzite．thatmeansAI。 displacesZn。 effectively． Keywords AZO thinfilm，solgel，electricproperties 异丙醇中，再以六水合氯化铝的形式掺人与锌离子物质的量 0 引言 比分别为 1 、2 、3 的铝离子 ，将各种物质混合后在 7O℃ ZnO是一种新型的 Ⅱ一Ⅵ族直接宽带隙半导体材料，室 水浴中搅拌 2h，即可得到澄清均匀的溶液 ，陈化24h后，采用 温下禁带宽度为 3．37eV，常温下的稳定相为六方纤锌矿结 浸渍提拉法在玻璃衬底上制备薄膜，干燥箱 内干燥 30min 构口]。高温条件下，ZnO薄膜不易与氢气发生互扩散，因此 后，在马弗炉中以不同的温度进行热处理。这样重复镀膜， 在活性氢和氢等离子体环境中化学稳定性高，不会降低太 阳 以得到不同厚度的薄膜。 能电池材料的活性 ，而且成本低廉 、无毒 ，是最具开发潜力的 采用四探针法测定薄膜电阻率；用 日本岛津公司生产的 透明导电薄膜 [2。]。 D／max-rB型 x射线衍射仪对薄膜进行衍射分析 ；用 13本 Al掺杂 ZnO薄膜 (简写 AzO)作为一种重要的光 电信 EOL公司的JSM-5610LV扫描