Bi2Te3基热电薄膜材料的制备方法研究.pdfVIP

·230 · 材料导报 2008年 12月第22卷专辑Ⅻ Bi2Te3基热电薄膜材料的制备方法研究 段兴凯 ，于福义 ，江跃珍 ，胡孔刚 ，杨君友。 1 九江学院机械与材料工程学院，九江 332005；2 华中科技大学材料成型及模具技术国家重点实验室，武汉 430O74 摘要 Bi2T勖基热电材料 由于在微 电子、光 电子等高技术领域具有潜在的应用前景，从而得到了人们的广泛 关注。低维Bi2Te3基热电材料由于具有特殊的量子限制效应，已成为提高热电性能的有效途径。近年来，研究者非 常重视Bi2T 基热电薄膜的制备及性能研究，并做 了大量相关的研究工作，许多制备方法也相继出现，并获得了高质 量的BizTes基热电薄膜。 关键词 BjzTe。热电薄膜 热电性能 制备方法 ResearchonPreparationM ethodsofBi2Te3一basedThermoelectricThinFilms DUAN Xingkai，YU Fuyi，JIANGYuezhen ，HU Konggang，YANGJunyou 1 SchoolofMechanicalandMaterialEngineering，JiujiangUniversity，Jiujiang332005；2 StateKeyLaboratoryof MaterialProcessingandDie MouldTechnology，HuazhongUniversityofScienceandTechnology，Wuhan430074 Abst~ct Bi2Tea—basedthermoelectricmaterialshaveattractedmoreandmoreattentionfortheirpotentialap— plicationinmicroelectronics，optoelectronicsandotherhigh-techfields．Low dimensionalBi2Tea—basedmaterials，which show specialquantum confinementeffectandtransportproperties，havebeenprovedtobeaneffectiveroutetoimprove thermoelectricproperties．ThepreparationandthermoelectricpropertiesofBi2Tea—basedthinfilmshavegotmuchat— tentionbymanyresearchersinrecentyears．Severalnewmethodshavebeendevelopedandemployedtogrowhighqual— ityBi2Tea—basedthemr oelectricthinfilms． Keywords Bi2Te3，thermoelectricthinfilm，thermoelectricproperties，preparationmethod 来 ，BizTe。基纳米薄膜的制备及热电性能的研究备受国内外学 O 引言 者的重视 ]，许多制备方法也相继出现，例如利用金属有机物 热电材料是利用热电效应将热能与电能相互耦合、相互转 化学气相沉积 MOCVD 、脉冲激光沉积 PLD 、电化学原子层 换的特殊功能材料。热电效应是指由电流引起的可逆热效应和 外延 ECALE 、MBE和瞬间蒸发法等方法已经制备了较高性 温差引起的电效应的总称，它包括相互关联的 3个效应 ：See— 能的BiTe。基热电薄膜。 beck效应、Peltier效应和Thomson效应。良好的热电材料必须 具有高的Seebeck系数 、高的电导率 以及小的热导率 ，集 中体现在材料的热电品质因子Z中：Z— 。 。每种热电材料 都有各 自适用的工作温度范围，常用热电品质因子 Z与温度 T 之积 ZT这一无量纲来描述材料的热电性能。热电材料的能量 转换要求材料具有低的热导率和很好的电子传输特性 高的电 导率和 Seebeck系数 ，这种特性对于块体热电材料很难实现， 纳米技术的出现为研究和发展高性能热电材料开辟了新的途 径，低维结构材料在电子和声子传输中通过量子尺寸效应为热 电性能的提高提供了可能。图1表明了BiTe3的ZT值随维数 降低而增加的理论计算结果l1]。 圈 1Bi2-Ib 的ZT值与维数的关系理论计算示意图 BiTe3基半导体化合物是室温下性能最优越的热电制冷 Fig．1 Thetheoreticalresultsonthedependenceofthe 材料，由于其在微电子、光电子及许多高科技领域的潜在