二氧化锡基稀释磁性半导体的磁性.pdfVIP

· 2l8 · 材料导报 2012年 5月第 26卷专辑 l9 二氧化锡基稀释磁性半导体的磁性 顾海权，刘春 明，李志杰，祖小涛 (电子科技大学应用物理系，成都 610054) 摘要 综述 了Sn02基稀释磁性半导体(Sn02一DMS)N~性的实验研究进展 ，包括3d过渡金属离子掺杂和非磁 性离子掺杂；归纳了SnOz—DMS的磁性与掺杂离子浓度、基底材料、样品形态的关系，并指出本征缺陷对磁性的贡献 毋庸置疑，而掺杂离子的作用还存在争议；简单介绍了F心交换模型。 关键词 二氧化锡 稀释磁性半导体 F心交换模型 M agnetism ofSn05一basedDilutedM agneticSem iconductor GU Haiquan，LIU Chunming，LIZhijie，ZUXiaotao (DepartmentofPhysics，UniversityofElectronicScienceandTechnologyofChina，Chengdu610054) Abstract ResearchdevelopmentsofSnO2一baseddilutedmagneticsemiconductor(SnOe—DMS)aresumma— rized，including3dtransitionmetalionsandnon-magneticionsdoped．Theeffectofdoping ionconcentration，sub— stratematerialsandspecimenformsonthemagnetismofSn02一DMSareconcluded，andtheundoubtedcontributionof theintrinsicdefectsonthemagnetism andtheargumentontheroleofdopedionsarementioned．Finally，abriefintro— ductiontotheFcenterexchangemode1isprovided． Keywords Sn()z，dilutedmagneticsemiconductor，F centerexchangemodel 为基质的稀磁半导体材料 (SnO。一DMS)尤其引人瞩 目，这一 0 引言 方面是因为二氧化锡是一种宽带隙半导体材料 (带宽可达 一 般情况下，稀释磁性半导体 (Dilutedmagneticsemi— 3．6eV)，具有突出的光学和电学特性 ，广泛应用于气敏传感 conductor，DMS)是指磁性过渡金属离子或稀土金属离子部 体、透明电极以及太阳能电池等领域；另一方面则是因为在 分取代 Ⅱ一Ⅵ族、Ⅲ一V族、Ⅳ一Ⅵ族等化合物半导体中的阳离 co掺杂 snO 薄膜中获得了巨磁矩(7．5眦／Co)、高居里温度 子而形成的一类新的半导体材料 。DMS由于同时具有磁性 (Tc一650K)、高的可掺杂浓度 (Co与 Sn-+-Co之 比可达 和半导体性质，是磁 电子学中一类重要的功能材料，与传统 27 )、对可见光的高透明性等一系列性质，使得它在 自旋 电 的半导体材料相比，它能在 同一种材料中同时利用载流子的 子学领域中的应用有了极大突破，值得研究和期待 。SnO一 电荷和 自旋属性，因而可以同时实现信息的存储和处理 ，大 DMS按掺杂离子的种类可分为 3d过渡族金属离子掺杂和 大增强电子器件的功能。但是，在早期研究中，如 Mn掺杂 非磁性离子掺杂。虽然在很多 3d过渡族金属离子掺杂的 的InAs、GaAs等材料由于居里温度远低于室温而致使其实 snO。上获得 了高于室温的