分段恒电位电化学沉积法制备CuInSe2吸收层.pdfVIP

· 232 · 材料导报 2012年 11月第26卷专辑 20 分段恒 电位 电化学沉积法制备 CuInSe2吸收层 胡 飞，叶 澍，文思逸，胡跃辉 (景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院，江西省先进陶瓷材料重点实验室，景德镇 333001) 摘要 采用分段恒电位电沉积法在FTO导电玻璃上制备了CuInSe2(CIS)薄膜。通过线性电位扫描分析了阴 极的电化学反应，并通过电化学沉积法制备了CIS薄膜。结果表明，恒电位电化学沉积的薄膜与CIS的化学计量比 相差较大，增加溶液中铟离子的浓度，可以提高铟在镀层的含量，使薄膜更接近CIS化学计量比。而采用分段恒电位 法沉积薄膜，可以抑制铜硒化合物的生长，使薄膜更接近于CIS化学计量比。 关键词 线性电位扫描 铜铟硒薄膜 分段电沉积 恒电位电沉积 中图分类号：TQ153．4 文献标识码：A TheElectr0dep0siti0n0fCulnSe2AdsorbLayersbyStepPotentiostaticM ethod HU Fei，YEShu，W EN Siyi，HU Yuehui (JiangxiKeyLaboratoryofAdvancedCeramicMaterials，SchoolofMaterialsScienceandEngineering， JingdezhenCeramicInstitute，Jingdezhen333001) Abstract CuInSe2(CIS)thinfilmswerepreparedbysteppotentiostatice1ectrodepositi0nonF-dopedtinoxide (FTO)glasses，andtheirelectrodepositionbehaviorwereinvestigatedbythelinearsweepvoltammetry．Itisshown thattheone-steppotentiostaticeiectrodep。sitedCISthinfilmshavegreatdeviationfrom theidealstoichiometricratio of1：1：2．andtheincreasingofIn3。。concentrationintheelectrolytescouldclosetothestoichiometricratio．Andthe stepelectrodepositioncouldreducetheproductionofthecopperselenideandtheelectrodepositedCISfilm hasshowna near-stoichiometricratio． Keywords linearsweepvoltammetry，CulnSeefilm ，stepe1ectrodepo tion，potentiostatice1ectrodeposition 分析电化学沉积过程的基础上，在氯化铜、氯化铟、亚硒酸和 0 引言 柠檬酸水溶液中，采用恒电位并且对其进行改进，在 FTO玻 铜铟硒(CulnSe，CIS)是多元化合物直接半导体，其光 璃基片上制备CIS薄膜，研究沉积电位对薄膜物相组成及化 电转化效率高达 19．5 ，光吸收率达 1O数量级 ，有利于太 学成分的影响规律 。 阳电池基区光子的吸收和少数载流子的收集。铜铟硒薄膜 1 实验 最适合太阳电池薄膜化，电池厚度可做到 2～3,／m，还可以通 过Ga元素的掺杂制备出具有带隙范围 1．O5～1．72eV 的薄 实验中采用三电极系统，饱和甘汞为参 比电极，Pt片为 膜，是光伏应用中最有