Si／SiO2超晶格晶化特性影响因素分析.pdfVIP

·6O · 材料导报 2008年 8月第 22卷专辑Ⅺ a_si最大限度地转化为ne-Si。 strate．ThinSolidFilms，2004，461：44 2 ChenK，MaZY，HuangX F，eta1．Comparisonbetween 4 退火过程对 nc-Si的影响 lightemissionfrom Si／SiN andSi／SiO~multilayers：roleof 选择合适的镀膜技术 (如热反应蒸发 (TRE)、分子束外延 interfacestates．JNon-CrystSolids，2004，338—340：448 (MBE))，在样品表面交替形成Si／SiO~纳米薄膜，得到的样品 3 HeitmannJ，MullerF，YiL，eta1．ExcitonsinSinanocrys— 中si层处于非晶态，而我们通过高温热处理使 si层中的非晶硅 tals：Confinementandmigrationeffects．PhysRevB，2004， 转化为纳米晶体硅 ，从而得到ne-Si／SiO~超晶格结构。因此选 69：195309 择合适的退火过程十分重要。 4 RuiY，ChenD，XuJ，eta1．Hydrogen-inducedrecoveryof 炉内退火 、快速退火 (RTA)、激光退火和这几种综合的退 photoluminescencefrom annealeda-Si：H／ si02multilay- 火方式都可以使非晶硅层转化为晶体硅层。快速退火温度范围 ers．JApplPhys，2005，98：033532 一 般为 900～ 1100℃，炉 内退火温度一般 范 围为 700～ 5 IuZH，LockwoodDJ。BaribeauJM Quantum cofinement 1100℃7【]。T．Mchedlidze等[1]的实验研究表明，炉内退火和快 andlightemissioninSi02／Sisuperlattices．Nature，1995， 速退火实际是等价的，实验发现4nm厚 si层在 1100℃下快速 378：258 退火后，结晶体积分数与 1100~C下一定时间的炉内退火是相同 6 TernonC，GourbilleauF，PottierX，eta1．Anorigina1ap— 的。同时还发现RTA过程中，温度越高越有利于出现簇状的 proachforthefabricationofSi／SiO2multilayersusinglo~c— 小尺寸ne-Si，样品中残留的a-Si的体积也较小。激光退火可以 tiremagnetronsputtering．ThinSo lidFilms，2002，419：5 通过控制激光束强度来控制合适的退火温度。强激光束作用 7 ZhengTH，LiZQ ThepresentstatusofSi／SiO2superlat— 下，样品中的a-Si可以熔融后再结晶，从而提高晶化率，得到晶 ticeresearch into optoelectronicapplications．Superlattice 化比较完全的超晶格。在激光退火下 ，3nm、5nm、10nm厚的非 M icrost，2005，37：227 晶硅层