Sol—gel法制备Si基Bi3．15Nd0．85Ti3012铁电薄膜.pdfVIP

· 336 · 材料导报 2011年 5月第25卷专辑 17 Sol—gel法制备 Si基Bi3．15Nd0．85Ti3O12铁电薄膜 刘长永，郭冬云，王传彬 ，沈 强，张联盟 (武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室，武汉理工大学材料科学与工程学院，武汉430070) 摘要 采用Sol-gel法分别在Si(100)和Si(111)衬底上制备 Bi3_15Nd0．85Ti3O12(BNT)铁电薄膜。研究了衬底、 退火温度、退火保温时间和薄膜厚度等因素对BNT铁电薄膜结晶和微观结构的影响。在 500~C退火的BNT薄膜 已 经结晶形成层状钙钛矿相；升高退火温度 (500~800℃)、延长保温时间(30~150min)、增加薄膜厚度 (170~850nm)， 都有利于BNT薄膜晶粒长大，其 中退火温度和薄膜厚度是影响晶粒长大的关键 因素；每次涂覆的厚度大约是85 nm。与Si(100)衬底相比，由于Si(111)与BNT薄膜具有更好的晶格匹配，因此BNT薄膜在Si(111)衬底上更容易结 晶。 关键词 Bi3．15Ndo．85Ti3012薄膜 sol—gel法 微观结构 晶粒尺寸 PreparationofBi3 NdossTi3O12FerroelectricThinFilmsonSi ． 1s ． SubstratesbySol-gelMethod LIU Changyong，GUODongyun，WANGChuanbin，SHEN Qiang，ZHANGLianmeng (StateKeyLaboratoryofAdvancedTechnologyforMaterialsSynthesisandPxocessing，Schoolof MaterialsScienceandEngineering，WuhanUniversityofTechnology，Wuhan430070) Abstract Bi3 ． i5Nd0．85Ti30l2(BNT)thinfilmswerepreparedonSi(100)andSi(111)substratesbysol-gel method．Theeffectofsubstrate，annealingtemperature，holding timeandfilm thicknessonthecrystallizationandmi— crostructureforBNTfilmswereinvestigated．WhantheBNT film wasannealedat500℃ 。thebismuth-layer-struc— turedpervoskitephasewasformed．W ithincreasingtheannealingtemperature(500~800℃)，holdingtime(30~ 150 min)andfilm thickness(170~850nm)，thegrainsizesofBNT filmsincreased．Theannealingtemperatureandfilm thicknesswereimportantfactorsforthegraingrowth．Thethicknessofeachlayerwasabout85nrrLComparedwith BNTfilmspreparedonSi(100)，theBNTfilmsweremoreeasilycrystallizedonSi(111)substratesduetobetter1at— ticematchingbetweenSi(111)substrateandBNT films． Keywor