非磁性元素Ca掺杂AIN稀磁半导体纳米棒阵列.pdfVIP

· 56 · 材料导报 2012年 11月第26卷专辑 2O 非磁性元素Ca掺杂AIN稀磁半导体纳米棒阵列 娄 阳 (新疆大学物理科学与技术学院，乌鲁木齐 830046) 摘要 采用无催化剂辅助化学气相沉积法，以无水A1CIs、NH3气和无水CaC12分别作为Al源、N源和Ca源， 首次获得 Ca掺杂A1N纳米棒阵列。纳米棒的长度约为几百纳米，直径为200~500nm。能谱 (EDS)证明Ca掺杂的 原子分数约为4．4％o；光致发光光谱(PL)表明N空位引起在 359nm的发光中心；在磁性能测试中观察到明晰的磁滞 回线，表明样品具有室温铁磁性。 关键词 无催化剂辅助化学气相沉积法 纳米棒阵列 Ca掺杂A1N 室温铁磁性 NonmagneticCaDopedAIN DilutedM agneticSemiconductorNanorodArrays LOU Yang (DepartmentofPhysicalScienceandTechnology，Xi@angUniversity，Urumqi830046) Abstract CadopedA1N dilutedmagneticsemiconductor (DMS)nanorodarraysarefirstlysynthesizedbya catalyst—freechemicalvapordepositionmethod，usinganhydrousA1Cla，NHaandanhydrousCaC12assources．The lengthofthenanorodsisintheorderofsevera1hundredsnanometerandthediametervariesbetween 200nm and 50Onot．EDS provesthatdoping concentration ofCa isabout4．4 at ．PL spectrum showsapeak at359nm (3．46eV)，whichisattributedtoN vacancy．Vibrationsamplemagneticfieldmeter(VSM)exhibitsthesampleshave clearmagnetichysteresisloop (M H )．Itprovesthatthesamplesareferromagneticatroom temperature． Keywords catalyst-fleechemicalvapordeposition，nanorodarrays，CadopedA1N，room temperatureferro— magnetic 近几年，利用磁性过渡金属掺杂传统半导体构造的稀磁 或团簇。例如，Cr掺杂A1N，基于密度函数理论(DFT)计算， 半导体(DMSs)在 自旋电子器件方面上的应用充满希望。除 每个 Cr原子的理论磁矩是3 _1，然而实验中观测到的值比 电荷 自由度以外，还有希望利用电子的自旋 自由度把信息处 理论值小很多，每个 Cr原子的磁矩在 0．5 ～1．1 _1“]之 理和储存联合起来，因此DMSs已经引起越来越多学者的研 间变化 ，表明掺杂物 Cr在 AlN中是非均匀分布的。 究兴趣[1]。为了实际的应用，就要求构造高居里温度 (丁) 为了避免磁性析出相的问题，采用新型的、非磁性的掺 的铁磁性物质，并且让磁性掺杂物均匀地分布其中。自从报 杂元素来构造 DMSs，并期望掺入半导体而形成铁磁性。据 道 Mn掺杂 InAs和 GaAs在 100K时具有铁磁性 以来_5]， 文献E28，29]报道，非磁性Cu掺杂A1N表现出铁磁性并且 Ⅲ一V族基半导体已经被广泛地研究，并 已具有完善的载流子 高于室温。稀土元素Y 。_和 Sc[3 掺杂