新型GeSe2In2Se3CsI硫卤玻璃的形成与性能.pdfVIP

新型GeSe2-In2Se3-CsI 硫卤玻璃的形成与性能1 许银生，曾惠丹，沈策，王伟，杨光，陈国荣 华东理工大学材料学院无机材料研究所，上海 (200237) E-mail ：hdzeng@ 摘 要：本工作确定了GeSe -In Se -CsI三元系统的玻璃形成区，利用密度、差热分析、可 2 2 3 见-近红外光谱和红外光谱等技术，对(1-2x)GeSe - x(In Se -CsI)(x=0.1 ，0.2 ，0.3 ，0.4) 系列玻 2 2 3 璃进行了研究。研究发现，该系列玻璃具有良好的玻璃稳定性(ΔT=Tx-Tg110℃) 、较高的 3 密度(4.29-4.51 g/cm )和非常宽的可见及红外透过窗口(0.58-16 μm)，使得该系统玻璃有可能 成为用于稀土掺杂光纤放大器的优良基质材料和全光学器件的新型非线性光学材料。 关键词：硫卤玻璃 In Se 成玻能力 可见与红外透过性 2 3 中图分类号：TQ171.1 O437 文献标识码：A 1．引言 Ga S(Se) -基硫卤玻璃因其良好的玻璃形成能力，较宽的可见、红外透光范围，较低的 2 3 声子能量和与此相关的低无辐射跃迁，以及由其高折射率引起的高振子强度和高辐射跃迁等 优点使其可以作为应用于主动光学器件的稀土掺杂基质材料。除此之外，由于其较高的光学 非线性系数和较低的双声子吸收，近期Ga S(Se) -基硫卤玻璃成为应用于全光通讯领域的新 2 3 [1-3] 材料研究热点 ，比如超快全光开光。基于同族元素In和Ga化学性质的类似，In S -基玻璃 2 3 应该具有同样的性能，关于In S -基玻璃系统已有报道，其性能优越，可以应用于稀土掺杂 2 3 [4] 的光纤放大器和全光开光中 。与硫化物玻璃相比，硒化物玻璃具有更大的非线性系数和更 低的声子能量，可以推测In Se -基硫卤玻璃应具有更为广阔的应用领域，但就目前来说，有 2 3 关In Se -基硫卤玻璃的研究尚未见报道。鉴于此，本工作选用GeSe -In Se -CsI三元系统进行 2 3 2 2 3 了研究。 2 ．实验 2.1 样品制备 采用传统的熔融淬冷法制备GeSe -In Se -CsI系统的玻璃样品，选用纯度为99.999% 的 2 2 3 Ge、In锭、Se粒及分析纯的CsI为初始原料。将所用原料在充氮气的操作箱内称量，混合后 置于经预处理过的石英安瓿内。精确称量6 g配合料（确定玻璃形成区实验的配合料用量约3 -2 g ）放入石英安瓿内，然后抽真空于10 Pa 以上，并封接好，放入特制的摇摆炉中，按一定 的熔制曲线升温，在950℃保温10 h以上。将熔制好的样品在水中淬冷，然后打破石英安瓿 即得所需玻璃。采用粉末X-射线衍射法(XRD)确定玻璃的形成。 2.2 性能测试 差热分析(DTA)采用上海仪器厂生产的Cary 1型差热分析仪上测定，升温速率10℃/min ， 升温范围20~500 ℃，样品用量约为30~40 mg 。采用Archimedes法在室温下用电子天平(精确 到0.0001g)测定玻璃样品的密度。可见-近红外透过光谱采用CARY5型可见-近红外光谱