AlF3MgF2SiO2系低温共烧氧氟玻璃陶瓷性能研究.pdfVIP

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AlF3MgF2SiO2系低温共烧氧氟玻璃陶瓷性能研究.pdf

第”卷第6期 电 子 元 件 与 材 料 、,01.27No.6 2008年6月 ELECTR0mCCONⅡ,c瞪瑾沦HSANDMATERIALS Jun.2008 王睿,周济,李龙土,李勃 (清华大学新型陶瓷材料与精细.T-E国家重点实验空,北京100084) 摘要:制备了鲇F3.MgF2.Si02系低温共烧氧氟玻璃陶瓷材料,用XRD,SEM和阻抗分析仪等分析其烧结特性、 显微结构、介电性能以及与Ag电板浆料共烧等性能.结果表明:该材料可以在900℃烧结致密化,烧成后的样品具 率【2.4W/(m·K)】,能够与Ag电极浆料共烧。是一种很有应用前景的低温共烧陶瓷基板和无源集成介质材料. 关键词:无机非金属材料;低温共烧陶瓷;氧氟玻璃;玻璃陶瓷 中图分类号:TQ174.75 文献标识码:A 文章编号:100I.2028(2008)06-0015-03 onthe of low system Study propertiesAIF3一MgF2一Si02 CO-fired oxyfluorideglass-ceramics WANG Bo Rui,ZHOUJi,LI Long-tu,LI (State ofNewCeramicandFine 100084。China) KeyLaboratory Processing.TsinghuaUniversity,Beijing Abstract:The low co-fired was the AIF3·MgF2-Si02temperatureoxyfluoddeglass-ceramicsystemprepared,and were XRD、 andco-fired with electrode studied sinteringbehavior,microstructure.dielectricproperties propertyAg paste by SEMand meterete。Theresultsshowthatthe materialcallbesinteredat900 impedance glass—ceramic analytic oxyfluonde ℃withrelativelowdielectric dielectric thermal constant(6.2)lowloss(O.002),low coefficient(7.4xIOO/K)。 expansion thermal ceramicscouldbeCO-firedwithsilver highbendingstrength(220MPa)andhigh conductivi哆2.4[W/(m·购】.the well.It

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