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光 电 子 ·激 光 第 15 卷 第 5 期 　2004 年 5 月 Vol. 15 No. 5 　May 2004 　　　　　 J ournal of Optoelectronics ·L aser 　　　　　　 ·光电子器件和系统· VHFPECVD 低温高速生长的硅薄膜材料特性研究 张晓丹 , 赵 　颖 , 朱 　锋 , 侯国付 , 魏长春 , 熊文娟 , 孙 　健 , 任慧志 , 耿新华 , 熊绍珍 (南开大学光电子所 ,天津 300071) ( ) 摘要 :采用甚高频等离子体增强化学气相沉积 VHFPECVD 方法 ,在保持其它参量不变的条件下 ,通过 ( ) 成功地制备了一系列 Si 基薄膜样品。对材料特性的测试结果表明 , 同射频 PECVD 改变 SiH 浓度 S C 4 相比 VHFPECVD 技术提高了薄膜的沉积速率 ,并且 S C 大相应的沉积速率也大 ;微区 Raman 谱测试计 ( ) ( ) 算结果表明 ,样品的晶化率 X c 随 S C 的逐渐增大而减小; X 射线衍射 XRD 测试结果计算显示 ,样品 ( ) 的晶粒尺寸在20～30 nm 之间原子力显微镜 AFM 和微区 Raman 谱测试分析结果一致表明 ,过渡区在 S C 在 6 %～8 %之间 ;激活能测试结果表明 ,制备出接近本征的微晶 Si 材料。 ( ) (μ ) 关键词 :甚高频等离子体增强化学气相沉积 VHFPECVD ; 氢化微晶硅 cSi : H ; 微区 Raman 散射 谱 ; 过渡区 中图分类号: TN304055 　　文献标识码 :A 　　文章编号 (2004) Study on the Properties of Siliconbased Films with High Growth Rate Fabricat ed by VHFPECVD at Low Temperature ZHAN G Xiaodan , ZHAO Ying , ZHU Feng , HOU Guofu , WEI Changchun , XION G Wenjuan , SUN Jian , REN Huizhi , GEN G Xinhua , XION G