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ESD应力下的扩散电阻及模型击穿特性.pdf
，
第38卷筹4期 徽电子学 V文38，No．4
2008年8月 Microelectronics Aug。2008
ESD应力下的扩散电阻及模型击穿特性
路香香h2，罗宏伟2，姚若河1，林志成3
(1．华南理工大学物理科学与技术学院，广州510640；2．电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级燕点
实验室，广州510610；3。华南爆范大学物理与电信工程学院，广髑510006)
摘要： 随着集成电路的尺寸越来越小，其对静电放电(ESD)也变得越来越敏感，而电阻在ESD
保护电路中可敬起到隔离争分孱的作雳。砖ESD藏力下扩散电阻的四个送域：线娃嚣、饱争送、雪
崩倍增和负微分电阻黻、二次击穿区的模型进行了分析。通过TLP实验对大电流作用下的电阻特
性进行验证研究，试验分析了扩散电阻的ESD保护特性；着重讨论了二次击穿区，即热击穿区，的
电阻特槛，得壹电阻懿热击穿最先发生在鬻极一一n结，继续加大电莲会便跟极一弱极阁完全热烧毁
的结论。
关键词： ESD应力；扩散电阻；TLP测试；二次击穿
巾强分类号：TN406 文豢椽谖弼：A
ESD
CharacteristicsofDiffusedResistorandItsModelUnderStress
Punch-through
LU 1：2，LUO Ruohel，LIN
XiangxiangHongwei2，YAOZhichengs
SchoolSouthChina 510640，P．R．China
of
(1．Physical UniversityofTechnology，Guangzhou
and Electronic 510610，P。匙China1
2。National forReliabilityPhysicsApplicationTechnologyof Product，Guangzhou
KeyLaboratory
andTelecommunicdtion Normal 510006·P。R。China)
3．蔽秘。ofPhysics Engineering。SouthChinaUniversity，Cruangzhou
Abstract：DiffusedresistormodelunderESDstressin and sec—
linear，saturation，multiplicationsnapback，and
characteristicsunder currentwerestudied
breakdownwasanalyzeResistor large through善渖
ondary regions
ofthediffusedresistorwerediscussed，withonresistorcharac-
characteristics emphasis
experimenL渤protection
teristicsof breakdownorthermalbreakdown wasconcludedthatthermalbreakdown
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