不同硅片对BST薄膜结构与性能影响.pdfVIP

不同硅片对SBT薄膜结构与性能的影响 付兴华L2傅正义1 丁碧妍2 单连伟2 韦其红2 侯文萍2 (1武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室，武汉430070； ：济南大学材料学院，济南 250022) ， sBa0 摘 要 采用HPAgilent4294A阻抗分析仪、xRD、TEM等测试方法研究了不同电阻率硅片对sr0sTi0，(sBT)薄 100．54，o．060，材料的介电性能相对提高，并表现出较好的频散特性；最大岛温度点‰(居里温度)稍微移向高温。在 高阻硅片上制备的sBT薄膜易生成四方钙钛矿结构，薄膜表面无裂纹，孔洞少，比较致密，晶粒的平均粒径均为80nm， 分布均匀；晶格条纹间距约为0．296nm，晶界2侧的晶粒取向是随机的。 关键词硅基片 sBT薄膜介电性能结构特征 BaTi0，一SrTiO。(SBT)固溶体具有非常好的电 表1 本试验所用药品 性能，它兼有BaTiO，(BT)高介电常数、低介电损耗 和SrTi0，(ST)结构稳定的特点。近年来的研究表明： Sr，一；Ba。Ti0，(SBT)介电薄膜材料具有高介电常数、低 漏电流、优良的介一温特性以及居里温度随Ba／Sr比可 调的特性，很有希望用于动态随机存储器、热释电探测 器、微波可调器件、相阵天线、场致发光显示器等n“】， 显示了广阔的应用前景，在薄膜材料的研究和制备中 日益突现出来。探索应用于高存储速度、高存储密度的 非易失性存储器、高性能微波调节器中的SBT介质薄 1．2 仪器 、 膜材料一直是薄膜材料研究的重要方向之一。基片及 电极的种类也是影响制备(sr，Ba)TiO，优质薄膜的重 要因素之一，当基片的线胀系数及晶面结构参数与 HP (Sr’Ba)TiO，的参数相近时，薄膜有可能外延取向生 长，形成质量较好的薄膜。常用的基片有无应力钢片、 熔融石英片、硅片、M90、srTi0，、LaAlO，等。本试验所选子株式会社JEM一2010TEM透射电镜。 用的基片为低指数(100)单晶硅，因为低指数晶面表面 能较低，与薄膜材料基质能很好的粘附。以2种不同电 2 结构与性能分析 阻率值(0．03～O．06Q·m，30Q-m)的单晶硅作为研 究对象探讨了它们对薄膜性能的影响。 采用溶胶一凝胶工艺分别在低阻硅(0．03— 1 实验原料及仪器 性能分别进行了研究。 1．1 实验原料 本论文所采用的化学试剂及化学成分示于表1中。 过程如下：称取一定量的Sr盐、Ba盐放入烧杯中，移取 作者简介：付兴华(1963～)，男，博士研究生，教授．主要从事薄膜材料的研究 76 万方数据 lO～20mL冰醋酸，在磁力搅拌器上加热搅拌至盐类完 全溶解制得A液。在锥形瓶内，移取3．47mL的钛酸四醋酸锶、酸酸钡+醋酸 丁脂、10～20mL无水乙醇、5～10mL冰醋酸，在磁力搅 拌器上加热搅拌5～6min，制得B液。然后，在搅拌过程 中，将A液逐滴加入B液中，再将混合液继续加热搅拌 钛酸四丁脂+无水乙醇 (需控制温度，减少有机溶剂的挥发)，O．5h后加入鳌合 剂乙醇胺或乙酰丙酮0．5—2mL及表面活性剂丙三醇 军嚣 O．5。2mL，再加热搅拌1h，抽滤，制得稳定的溶胶。此时 溶胶的pH值在3～4，粘度为(3—6)×10‘5Pa·s，浓度 在o．3．0．4mol／L范围。均胶速率控制为3500r／min， 罢 时间为o．5min。经过干燥、热分解和退火晶化处理，使 之转化为无机薄膜，其工艺技术路线如图l所示。 2．1 SBT薄膜的结构表征 2．1．1 sBT薄膜的表面和断面形貌