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Tempress扩散设备优越技术.pdfVIP

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Tempress扩散设备优越技术.pdf

Tempress 扩散设备的优越技术 众所周知,PN 结是光电转换的基本组织结构,在太阳能电池片的制备过程 中,生成 PN 结的工艺为掺杂,几乎所有的企业都采用扩散设备完成此项工艺。 然而,不是所有的扩散设备都采用相同的结构和控制原理,因此也影响到 PN 结 的好坏,最终影响光电转化效率。在此,我将我们Kromax代理的荷兰Tempress 扩散设备的优越技术作以剖析,以便大家更深刻理解此设备,供选择设备之需。 1. 精确的稳定的温度控制原理 对于掺杂方式之一的扩散工艺,影响工艺的参数较多,温度是其关键参数之 一。温度影响掺杂的深度,即 PN 结的深度,从而影响到硅片的电阻,进而影响 到后续制作的电池片的分流电阻,最终影响到填充因子,导致转换效率的变化。 Tempress的扩散设备,可以将工艺温度均匀性控制在恒温区范围≤±0.5℃,稳 定度 24h 内≤±0.5℃,此种高精度高稳定的控制,采用串级控制的方式,通过 对加热部件和负载同时进行监控。 扩散设备采用电阻加热炉,对负载进行恒温控制,在恒定的温度和气氛中对 负载进行工艺处理。影响温度的主要因素: (1)电网电压的波动会引起电阻丝加热电流的波动,影响工艺管内的温度。 据有资料表明,实测出当电网电压改变10V,工艺管内温度大约变化50℃左右; (2)放满硅片的SiC桨进出工艺管内时,工艺管内温度波动100-200℃。 采用了精密的串级控制后,有效控制了电压波动、负载波动、装载和工艺气 体流动状态等对温度产生的影响,获得了较好的工艺效果。 1.1 串级控制的原理 串级控制系统由主、副两个回路构成,我们将负载的反馈形成主回路,外热 偶(即测温热偶)做为辅助变量形成副回路。此时,测温热偶的情况通过调节负 载的主回路来自动校正。Tempress 的扩散设备,采用五个加热温区,其温度串 级控制系统见下图,外热偶(A、B、C、D、E)测试工艺管壁的温度(一般 为石英管)、副控的 PID、可控硅电路以及加热功率部件组成副控回路,用来控 制炉丝加热电流的大小,从而达到控制炉丝加热功率,控制加热温度的目的;而 置于工艺管内内的Profile热偶(具有五段A、B、C、D、E)将侧得的工艺管内 负载区域的实际温度与工艺设定值比较后,与主控 PID、副控 PID、可控硅电路 以及加热功率部件一起组成主回路,监控工艺管内恒温区的实时温度变化。 图中 Profile 热偶 A、B、C、D、E 均处于加热器的主控段,A、E 测出的主 控段温度信号与副控加热器外热偶 A、E测出的信号进行比较,保证恒温区的 精度、长度和高稳定性。 注:Tempress扩散设备上的外热偶采用R型控温热偶,Profile热偶采用R 型(Pt/Rh13-Pt),具有恒温区自动校正功能。此热偶在 400-1300℃的温度范 围内经过严格的校正,5组内热偶检测出的温度信号极其准确,相互之间的偏差 在5μV之内(即控制在恒温区精度指标的一半内),有力的保证了恒温区精度。 由于各组加热器所处位置不同,保温层特性很难保证其一致性;再者,对于 不同工艺,温度段的要求也不尽相同;第三,温度在不同的温度段1℃所对应的 微伏值也不同。因此,应对PID参数的优化组合、跟踪运用来配合串级控制,及 1.2 系统性能的提高 串级控制系统的抗干扰能力比单回路控制系统要强的多,特别是当干扰作用 于副环时,系统的抗干扰能力会更强。在串级控制中副回路具有先调、快调、粗 调的特点,主回路具有后调、慢调、细调的特点,两个回路互相补充,互相协调, 使PID参数优化组合,同时应对来自电网电压、外部环境温度以及工艺管内负载、 气流等的变化对整个系统带来的影响,有效地提高了系统的响应速度,改善了调 节品质,以确保恒温区温度均匀性以及良好的稳定性。 2. 密闭循环压力控制系统 我们来控制掺杂过程中工艺管内的温度,同时需要控制工艺气流,控制两者 以达到平稳完全的工艺反应,其实等同于控制工艺管内的气压。Tempress 的扩 散设备采用独特的无真空泵,却能够把反应腔的气压控制在±1Pa范围之内。这 种密闭

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