掺杂VO2的特性制备方法及应用.pdfVIP

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掺杂VO2的特性制备方法及应用.pdf

第28卷第3期 四川冶金 vol28№3 2006年6月 Slch呲Mecallur盯 June,2006 掺杂V02的特性、制备方法及应用 范樵乔黄维剐涂铭旌 (四川大学材料科学与工程学院成都610064) 【摘要】vq在68℃时发生从低温的单斜相向高温四方相转变,同时伴随着光、电、磁性能的突变。通过掺 入其它杂质元素,能有效改变其相变温度和光、电性能,这些优异特性使英具有更好的应用前景。奉文综述了掺杂 的原理,掺杂对v02相变影响、常用的掺杂方法及目前的应用情况,这对其进一步的研发应用具有重要的意艾。 【关键词】=氧化钒相变掺杂 INFLUENCEOFDoPINGONPRoPERTIESAND oFRESEARCHoFVANADIUMDIoXIDE Fan Tu Qiaoqia0}IuangMin画ing Weigang Ma髓;abscle眦eand (cbll啦of B培in眭一ng,Sjch啪u瑚v哪ltnChm酣u610064,Ckna) behavesasemiconducto卜t小metaltransitionat witha [Abstract] approximate VQ 68℃goes transitionfroma monoclinicfonu幻a 口ystallographic low—temperature tetragonal high.temperature transitionis with in andelectrical asS0ciated phaSe.Thisphase abi.uptchangesoptical properties.Ar】d can andelectricaI of this on dopingimp工}DveopticaI propertiesVq.Inpaper,Innuer脱ofdoping of and of.researcharesummarized. devel叩ment VQ propertieS vanadium [Keywords] dio)(ide。phasetransiti叽,doping Cr3+等元素【2J,可以使其相变温度降到室温或者更 1前言 低,使其作为热致变色材料具有很好的应用前景。 v(]2是一种相变型金属氧化物L1J,具有金属一 2掺杂原理及掺杂对v02性能的影响 绝缘体转变的相变性质和光学突变性质,随温度的 井高,在相变湿度(Tc=68℃)会发生从低温单斜结 2.1掺杂的能带

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