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漂移区为线性掺杂的高压薄膜SOI器件的研制.pdf
第 期 电 子 学 报
2 Voi .29 No .2
年 月
2001 2 ACTA ELECTRONICA SINICA Feb . 2001
漂移区为线性掺杂的高压薄膜 SOI 器件的研制
1 1 2 2
张盛东 ，韩汝琦 ， ，
Tommy Lai Johnny Sin
（ 北京大学微电子学研究所，北京 ； 香港科技大学电机电子工程系，香港）
1. 100871 2 .
摘 要： 给出了漂移区为线性掺杂的高压薄膜 器件的设计原理和方法 在 膜厚度为 、隐埋氧化层
SOI . Si 0 . 15 m
!
厚度为 的 硅片上进行了 晶体管的制作 首次对薄膜 功率器件的击穿电压与线性掺杂漂移区的杂
2 m SOI LDMOS . SOI
!
质浓度梯度的关系进行了实验研究. 通过对漂移区掺杂剂量的优化，所制成的漂移区长度为50 m 的LDMOS 晶体管呈
!
现了高达612V 的击穿电压.
关键词： 薄膜 ；高压； ；线性掺杂
SOI LDMOS
中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ）
TN604 A 0372-2112 2001 02-0164-04
Development of High Voltage Thin Film SOI Device
with Linearly Doped Drift Region
1 1 2 2
， ， ，
ZHANG Sheng-dong HAN Ru-gi Tommy Lai Johnny Sin
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