纳米半导体材料的制备技术.pdfVIP

专家论谈 9:;#’* +’32 纳米半导体材料的制备技术T 王占国 !中国科学院半导体研究所，半导体材料科学重点实验室，北京 ###$% 摘要：介绍了纳米半导体材料的定义、性质及其在未来信息技术中的地位，讨论了纳米半导体 材料的制备方法。 关键词：纳米半导体材料；量子点；制备技术 中图分类号： B 文献标识码： 文章编号： （ ） +?83@A2 @ C 4DE 4F@EED 2332 3 4F333GF3D !# $%’()%*(+, %,- )%’%)*#’(.%*(+, +, ,%,+/0)%1# 0#2()+,-3)*+’ 2%*#’(%10 HC?I ,’F-1% （ ， ， !# $%’(%)’(# ’* +,-.’/01.)’( 2%)(-%34 +.-/. 5/4)-)1) ’* +,-.’/01.)’(4 67-/4 8 .%0,# ’* +.-/.4 ，9-: -/; 4333J8 ，67-/% ） 40*’%)*5+,( #%#(K* %L ’%FM#’)( M(N#%O1#*%$ N’*($’)M ，*,($ K%*(*’) L1#*% ’O $%)( *,( L%$N’*% *(#,%)%-. ’$( *$%O1#(O *,M ’$*#)( P+,( L’Q$#’*% ’O #,’$’#*($R’*% %L *,(M( N’*($’)M ’$( #%#M(). K$(M(*(O ’)M%A 6#7 8+’-0 ：’%FM#’)( M(N#%O1#*%$ N’*($’)M ；S1’*1N O%*M ；L’Q$#’*% *(#,%)%-. 来，基于低维半导体结构材料 （即半导体量子结 4 引 言 构材料）的量子力学效应 :如量子尺寸效应、量子 人们预测，到23 42 年， 隧穿、量子干涉、库仑阻塞和非线性光学效应等; 以硅材料为核心的当代微电 的纳米电子学、光电子学、量子计算和量子通信 子技术的5!67 逻辑电路图 以及光计算、生物计算等已成为当前国际前沿研 形尺寸将达到 纳米或更 究热点。它们的研究与发展极有可能触发新的技 89 小，到达这个尺寸后，一系 术革命，受到了广泛的重视。 列来自器件工作原理和工艺 低维半导体材料，通常是指除三维体材料之 王占国院士 技术自身的物理限制以及制 外的二维晶格、量子阱材料，一维量子线和零维 造成本大幅度提高等将成为难以克服的问题。从 量子点材料，从物理上讲，它们是正统的纳米半 某种意义上说，这就是当代硅微电子技术的 “极 导体材料。二维超晶格、量子阱材料，是指载流 限”。为迎接硅微电子技术 “极限”的挑战，满足 子在两个方向 （如在 ， 平面内）上可以自由运