摩擦学性能优异的新石墨烯薄膜.pdfVIP

科 玟 佰 思 |_ 0llI。 吸收宽度达~225nm；Dy：CeF玻璃陶瓷在紫外 件上进行组装，从而限制了其深入应用。 (周洪英 ) 光激 发 下发射 白光 ，能量传递 效率达83％； 《)～ - ；…～_Ⅲ 1．1_ 0 - 一 ?冬 P b：YF玻璃陶瓷在蓝光激发下，近红外量子 ‰ ∥ ～ {# ll 剪裁发光最高量子效率达194％；最高量子效率 为170％的Nd／Yb：YF近红外量子剪裁玻璃陶瓷， 短波激发波段达200rim； (2)设计制备 了稀土 掺杂半导体量子点玻璃陶瓷，实现 了高效的下 转换红光发射。通过ZnO量子点向稀士传递能 量，使Eu：ZnO玻璃陶瓷红色下转换发光强度比 前驱体玻璃高36倍，紫外激发宽度达120nm；将 lll《lillil圈 树 ，n 下转换发光Eu：ZnO透明玻璃陶瓷与非晶硅 电池 耦合，显著提高电池在紫外和蓝光区的光 电响 ≮：一 一一 ． ： ¨ 、0，一 ‘ 应和能量转换效率。 (龙 斌) Ar tm ph l j 。 0 一 维半导体超晶格微米线的 随 学物理研究所在石墨烯薄膜研制及 ， 制备与光学性研究获新突破 展 。 研究人员利用氧化石墨烯表面 一 礴～ 嚣u辩嚣一 。0 ， 一 材I． 修饰的单晶硅基底表面，然后进行 热还原处理，得到了还原的石墨烯 ， 一 Wavele n《m) Ir 纂 曩 是耍 据媒体报道 ，近 日，北京理工大学材料学 院邹炳锁教授领导研究团队与美国佐治亚理工 具有较低的摩擦系数和优异的抗磨 大学王中林教授合作在一维半导体超品格微米 损性能。该项研究有望为微 ／纳机 电 线的制备与光学性质 的研究方面取得突破。有 关研究结果发表在近期出版的 《美国化学会杂 窦 蓁矍 志》 (JournaloftheAmericanChemicalSociety) 上。 ；霪 近期的 《朗缪尔》 (Langmuir) 研究人员采用一种简单可控的微区CVD方 上 。 法实现了一维的光子超晶格结构，主要是II．VI 族CdS／CdS：SnS2微米线 的生长 。这种微米线受 光激发后能够产