溴化钾晶体电注入着色临界温度及机理.pdfVIP

维普资讯 第37卷 第3期 人 工 晶 体 学 报 Vol_37 No．3 2008年 6月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS June，2008 溴化钾晶体 电注入着色临界温度及机理 宋翠英 ，顾洪恩 (1．天津商业大学理学院，天津 300134；2．天津大学应用物理系，天津 300072) 摘要：用自行研制的电注入装置，对溴化钾晶体进行 电注入并使之有效着色。由基本理论可以得出溴化钾 晶体电 注入着色临界温度理论值为598K，并依此拟定和实施具体实验方案 。通过实验进行得到电注入着色临界温度实 验值为603K。达到临界温度后 ，溴化钾晶体被着色 ，产生 F色心