Bi3.45Eu0.55Ti3O12铁电薄膜的光学性能.pdfVIP

第39卷第7期 光电工程 Vb1．39．NO．7 2012年 7月 Opto—ElectronicEngineering July,2012 文章编号：1003—501X(2012)07—0097—05 Bi3．45Euo．55Ti3O12铁电薄膜的光学性能 阮凯斌 ，伍广亨2，周 洪2，吴义炳 (1．福建农林大学 机电工程学院，福州 350002； 2．中山大学 光电材料与技术国家重点实验室，广州 510275) 摘要：采用化学溶液沉积法在石英衬底上制备 了Bi345Euo55Ti3Ol2(BEuT)铁电薄膜，研究了BEuT薄膜的结构和 光学性能。XRD测试结果表明，BEuT薄膜皆形成铋层状钙钛矿型结构，其晶粒尺寸随着退火温度的提高而增加。 薄膜的光学透过率曲线显示，在大于500am的波段BEuT的透过率比较高，而其禁带宽度大约为3．61eV。BEuT 薄膜的发光强度随着退火温度的提高，先是增强后减弱，在700℃时达到最大。这与薄膜的结晶状况有关。 关键词：铁电薄膜；光学透过率；光致发光 中图分类号：TN204 文献标志码 ：A doi：10．3969~．issn．1003—501X．2012．07．015 OpticalPropertiesofBi34sEIIossTi3012FerroelectricThinFilms ． ． RUANKai．bin，WUGuangheng，ZHOUHong，WUYi．bing (1．CollegeofMechanicalandElectricalEngineering， FujianAgricultureandForestryUniversity，Fuzhou350002，China； 2．StateKeyLaboratoryofOptoelectronicMaterialsandTechnologies， SunYat-SenUniversity，Guangzhou510275，China) Abstract：Bi345Eu055Ti3OI2(BEuT)thinfilmswerepreparedonqua~zsubstratesbyusingchemicalsolutiondeposition ． ． technique，andthestructuralandopticalpropertiesofthinfilmswerestudiedinthiswork．XRD resultsshow thatBEuT thin filmsexhibitapolycrystallinebismuth—layeredperovskitestrucane，andtheaveragegrain sizesincreasewith increasingannealingtemperature．Inthewavelengthofabove500nm ，BEuTthinfilmsshow highopticaltransmittance， na d theband gapsofallsamplesare nearly about3．61eV．The emission spe