检测薄膜压电形变的双光束探测干涉仪的设计.pdfVIP

维普资讯 第29卷第5期 光 电工程 Vo1．29，No．5 2002年 l0月 Opto—ElectronicEngineering oCt．2002 文章编号：1003—501X(2002)03—0045—04 检测薄膜压 电形变的双光束探测干涉仪的设计 黄 傲 ，施柏煊 ，陈王丽华2 ． (1．浙江大学现代光学仪器国家重点实验室，浙江 杭州 310027； 2．香港理工大学应用物理系，香港) 摘要：为了检测压电薄膜的在电场作用下的微小形变，同时避免基底弯曲效应的影响，设计了一 种双光束探测干涉仪，通过反馈控制和锁相检测技术，实现了高稳定度、高分辨力的目标，最小 可探测形变可达到 0．001nm。系统采用计算机控制测量和数据处理，使测量更加便捷、准确。 关键词：双光束干涉仪；压电效应；弯曲效应； 薄膜测量 中图分类号：TH744．3 文献标识码：A ’ DesignofDouble-Beam InterferometerforDetecting PiezoelectricStrainofThinFilm HUANGAo，SHIBai-xuan ，CHENW angLi。hua2 (1．StateKeyLaboratoryofModem OpticalInstrumentation，Zhejiang University，Hangzhou310027China；2．DepartmentofAppliedPhysics， HongKongPolytechnicUniversity，HongKong，China) Abstract：InordertOmeasuremicro—srtainofpiezoelectricthinfilm underactionofelectricfieldand avoidinghteimpactofsubsrtatebendingeffect，adouble—beaminterferometerisdesigned．Theobjective ofhigh stabilityandhighresolutionisachievedthroughfeedbackconrtolnadphase—lockingdetection technique．The mi nimum detectable strain is as smallasO．001nm．Wiht measurementand data processing are conrtolled by a computer,the system has the advnaatges of convenience，fast measurementspeedandhighaccuracy~ 一 Keywords：Doublebeam interferometers；Piezoelectriceffects；Bendingeffects；Th infilm measurement 引 言 压电薄膜，作为具有压电效应的新型功能材料，其应用范围不断扩展。因此对其研究和压 电特性的 测量越来越深入，成为材料领域研究的一大热点。研究薄膜的压 电性能，需要检测在 电场作用下薄膜厚度 的变化。光学检测方法具有灵敏度、分辨力高和非接触的优点，因此在压电效应检测中获得广泛应用。迈 克尔逊干涉仪在块状压 电材料的形变检测中很有效…，但是，在薄膜材料的检测中，基底弯曲效应的影响 显著，这限制了迈克尔逊干涉仪在薄膜材料检测中的应用。如图 1所示，薄膜在 电场作用下发生形变时， 产生的巨大拉力会拉动基底，使基底发生弯曲，这就是基底弯曲效应。因为这个效