绒面AZO干法制备及性能研究.pdfVIP

第39卷第2期 光电工程 、，ol-39．No．2 2012年 2月 Opto—ElectronicEngineering Feb。2012 文章编号：1003—501X(2012)02—0147—04 绒面AZO干法制备及性能研究 王文娜，张大伟，陶春先，黄元申，倪争技，庄松林 (上海理工大学 光电信息与计算机工程学院，上海 200093) 摘要 ：利用射频溅射方法，制得 AZO透明导电膜 ，并用离子束刻蚀制备绒面，得到绒面AZO透明导电膜。比较 刻蚀前后光电性能及表面形貌，发现透过率稍有下降，在可见光波段透过率在80％}X上；电阻率略有上升，但仍 保持在 10。Q·cm数量级，最低为2．9l×1O0Qc·m；刻蚀后薄膜表面形貌变化较大，大多数薄膜表面呈现 “坑状”结 构，横向尺寸在0．5—1．0Ixm，开口角在 120。左右，表面粗糙度从7．29am上升到36．64nln。薄膜具有较好的表面 微结构，在作太阳能电池前电极方面有较好的应用前景。 关键词：AZO薄膜；绒面结构；太阳能电池；离子束刻蚀 中图分类号：O472；TB43；TB39 文献标志码 ：A doi：10．3969~．issn．1003．501X．2012．02．027 PreparationandInvestigationofTexturedAZO Transparent ConductiveThinFilm byDirectlyDryEtching W ANGW en-na，ZHANG Da-wei，TAo Chun-xian， HUANGYuan-shen，NIZheng-ji，ZHUANGSong—lin (SchoolofOptical-ElectricalandComputerEngineering,Universityof ShanghaiforScienceandTechnology，Shanghai200093，China) Abstract：Aluminum—dopedZincOxide(AZO)transparentconductivethinfilmswerepreparedbyRFsputteringand surface—texturedAZO transparentconductivethinfilmswereobtainedbyusingionetching．Effectsofionetchingonthe optical，electricalandstructuralpropertiesofthefilmswereinvestigated．A slightdecreasewasfoundinrtnasmittnace， butthertnasmittna ceisstillmorehtan 80％ inthevisiblespectrum．Theresistivityincreasedslightly,butstillatthe 1 Q。cm leve1．theminimum resistivityis2．91x10。Q cm．Thesurfacetopographychangednoticeablyafterionetching Mostfilmsshow ”pit—like”structure，lateraldimensionsintheO．5~1．0岬 ，openingnagle120。orso，andRootMean Square(RMS)roughnessincreasedfrom7．29nmto36．64nn1．Thefilmshavegoodsurfacemicro—structure．nadshowa goodprospectassolarcellsrfont—electrode． Keyw