稀磁半导体新材料电子结构与自旋调控的研究.pdf

摘要 摘 要 稀磁半导体(DMS)兼有磁性和半导体的特性，是一种很好的自旋极化载 流子源，可用于制造新一代的自旋电子学器件，成为当前国际上磁电子学领域 的研究热点。然而，众多实验方法制备出来的稀磁半导体材料的磁性结果有很 大的差别，并且对铁磁性的来源也存在诸多争议。本论文主要利用同步辐射X 射线吸收精细结构谱学(XAFS)技术和密度泛函理论(DFT)方法，结合X III．V、IV族等稀磁半导体的结构和性能。 通过超导量子干涉仪测量了Mn和(Mn，N)共掺杂ZnO稀磁半导体薄膜的磁 学性质，结果表明样品在室温下为铁磁性。XAFS实验结果获得了Mn和(Mn，N) 共掺杂ZnO基、Mn掺杂GaN基等稀磁半导体薄膜样品中掺杂原子的价态、分 布、和配位环境等结构参数。XAFS分析结果表明ZnO基薄膜样品中Mn和N 主要以替代位形式存在、而GaN基薄膜样品中Mn的存在形式由掺杂量决定。 利用第一性原理计算，阐明了稀磁半导体体系中掺杂原子的局域结构和存在形 式对系统的电子结构和磁相互作用的调控本质。第一性原理电子结构计算表明 ZnO基稀磁半导体薄膜样品中的本征缺陷Zn空位和共掺杂原子N在价带顶形 成浅受主杂质能级与0的劲态充分杂化调制产生铁磁交换作用。而对于GaN 基和Si基稀磁半导体，替代位Mn和间隙位Mn之间发生强烈的才d直接交换 作用，诱导体系表现出宏观铁磁性。实验研究结合理论计算，从微观尺度揭示 了系统的原子局域结构与电子和磁学性质的内在联系。 本论文主要包括以下内容： 1．II．VI族稀磁半导体的结构和磁性研究 用XAFS技术和密度泛函理论方法系统的研究了Mn掺杂和Mn、N共掺杂 II．VI族ZnO基稀磁半导体薄膜的局域结构、电子结构、和磁学性质。XANES 结果表明在金属有机汽相沉积法制备的Zno．97Mno_030薄膜样品中，掺杂的Mn 摘要 离子进入ZnO晶格并占据了Zn离子位。电子结构计算表明样品中的本征缺陷 Zn空位在价带项形成一杂质能级调制产生室温铁磁性。而对于由感应耦合等离 表明Mn和N掺杂进入ZnO晶格，且分别占据了Zn和O离子的位置。电子结 构分析表明Mn3d和N2p态强烈杂化增强了磁交换作用，从而诱导Mn离子之 间由反铁磁耦合转变为铁磁耦合。 2．III．V族稀磁半导体的结构和磁性研究 二聚体。当Mn离子浓度进一步增加到0．100时，样品中的Mn离子主要是以 Mn团簇的形式存在。第一性原理计算表明，间隙位Mn在GaN中的形成能较 高，因此低浓度下Mn主要以替位式存在。随着掺杂浓度增加，替代位Mn的 3d态和间隙位Mn的3d态之间发生强烈杂化，降低了掺杂原子的形成能，因 此样品中出现MnG。．Mnl二聚体。理论计算结果与实验结果相一致。 3．IV族稀磁半导体的结构和磁性理论研究 用密度泛函理论系统的研究了Mn掺杂IV族Si基稀磁半导体的原子结构、 电子结构、以及磁性耦合。结果表明Mn原子在Si掺Mn稀磁半导体中趋向于 原子的调制作用聚集在一起，形成热力学稳定的Mn丁-Mnsi．Mn7’型复合体。Mnsi 和Mn7’之间强烈的正d交换作用诱导体系中所有的Mn原子相互铁磁性耦合， 因此显著的增强了材料的铁磁性。 4．氧化物稀磁半导体的电荷补偿共掺杂效应 用密度泛函理论方法研究了Fe掺杂金红石Ti02(110)氧化物稀磁半导体薄 摘要 膜表面的电子结构和磁学性质。结果发现Fe离子之间是一种铁磁超交换作用， 表面氧空位的出现将Fe离子之间的磁相互作用由铁磁性耦合转变为反铁磁性 耦合。而共掺杂P元素后，由于p5+提供的电子载流子有效补偿了Fe3+引入的空 穴载流子，限制了表面氧空位的产生。我们从理论上提出一种电荷补偿共掺杂 方法来增强氧化物稀磁半导体材料的铁磁性和电子输运性质。 关键词：X射线吸收精细结构 密度泛函理论稀磁半导体局域结构 电子结 构磁相互作用机制室温铁磁性 III ABSTRACT ABSTRACT Dilute oneo