多有源区隧道再生半导体激光器稳态热特性.pdfVIP

第 23卷第 3期 强 激 光 与 粒 子 束 Vo1．23，NO．3 2011年 3月 H IGH POW ER IASER AND PARTICIE BEAM S M ar．，2O1l 文章编号 ： 1001—4322(2011)03—0817-04 多有源区隧道再生半导体激光器稳态热特性 王智群 ， 尧 舜 ， 崔碧峰 ， 王智勇 ， 沈光地 (1．北京工业大学 光电子技术实验室，北京 100124； 2．北京工业大学 激光工程研究院，北京 100124) 摘 要 ： 利用有限元软件 ANSYS结合傅里 叶定律 ，对制约适用于光纤耦合输 出的新型高功率多有源区 隧道再生半导体激光器长寿命工作 的稳态热特性进行 了系统计算、分析 。获得 了这种新型器件工作时各有源 区温度分布特征及与传统单有源区器件稳态热特性的区别 ，并给 出了多有源 区隧道再生半导体激光器工作 时 各有源区温度的估算方法 ，同时对有效降低这种新型器件热阻的方法进行 了讨论 。结果表 明：连续工作时，多 有源区隧道再生半导体激光器 比同材料体系传统结构器件更易获得较高的输出功率 。 关键词 ： 半导体激光器 ； 光纤耦合 ； 多有源区； 隧道再生 中图分类号 ： TN248．4 文献标志码 ： A doi：10．3788／HPIP0817 大功率半导体激光器 由于体积小、质量轻、电光转换效率高、寿命长等优点，广泛应用于工业 、军事 、医疗等 领域 ]。特别是近年来高功率光纤激光器对高功率 、长寿命泵浦源需求 的日益增长 。]，基于高功率半导体激 光单元器件的光纤耦合输出大功率半导体激光器 由于其超长寿命和 日益增大的输出功率逐渐成为该领域的研 究热点 。传统大功率半导体激光单元器件为单有源区结构，远场光束快慢轴方 向差异较大 ，直接耦合进入 多模光纤浪费了光纤在快轴方向上的传输能力，不利于获得较高出纤亮度 。为了解决这一问题，国外各大公司 及研究机构在不断努力提高半导体激光单元器件输 出亮度的同时，均采用将多个传统大功率半导体激光单元 器件光束在快轴方向空 问集成后聚焦进人光纤的方法 ”]，但该方法涉及多个半导体激光单元器件、微光学 元件的集成 ，结构复杂 、稳定性较差且成本高昂。隧道再生半导体激光器是一种新型的半导体激光器 ，利用隧 道结在单个器件内部将多个有源 区沿快轴方 向串联在一起 “j。利用该结构器件可通过增加有源区个数有效 利用多模光纤的传输能力提高出纤亮度，另一方面利用该结构器件可使楔形端头光纤对其直接进行耦合 ，避免 快慢轴准直和空间集成 ，结构简单，稳定性高。要获得高出纤亮度 ，这种多有源区半导体激光器必须高功率输 出，此时多有源区的散热问题成为其长寿命 、高质量工作的关键 。现有关于这种新型器件的热特性相关研究主 要集 中在暂态脉冲工作特性条件下l1”J，而关于连续 电流工作条件下的热特性分析以及如何有效 降低热 阻的 研究鲜见文献报道。本文利用有限元软件 ANSYS对具有三有源区的隧道再生半导体激光器进行稳态热特性 分析 ，获得腔长 、侧向尺寸变化对器件热阻的影响，各有源区温度的计算方法及与传统单有源区器件热特性差 异，为这种新型器件的设计、使用提供了理论支持 。 l 计算模型 计算中为了准确获得多有源区隧道再生半导体激光器 的内部稳态热特性 ，必须将器件结构与热沉共 同建 模作为整体计算 。作为大功率器件 ，器件 中热主要来源于有源区中的非辐射复合、辐射吸收以及 自发辐射吸 收，器件 中其它层产生热较少 ，可以忽略 ，将体热源模型均匀建立在有源 区中。热沉采用常用 TO结构无氧铜 热沉，计算中器件腔长增加时同时等量增加热沉厚度。该结构激光器工作时，与激光器腔面平行 的热沉背面与 散热器相连 ，因此在热沉此面施加恒温边界条件 ，同时忽略热辐射和对流传热 ，在模型其它部分施加绝热边界 条件。表 1为计算模型中芯片各层结构及物性。根据实际光纤耦合应用需要 ，计算 中，固定有源区宽度为 100 m。为了准确 比较相同材料系统的多有源区隧道再生半导体激光器与传统单有源区半导体激光器热特性差 异 ，仅在该模型中靠近热沉一侧有源区内部施加体热源作为单有源 区激光器计算模型 ，其它结构及参数均不 变 。 * 收稿