强辐射源用铜纳米线阵列靶的结构与性能.pdfVIP

第 23卷第 3期 强 激 光 与 粒 子 束 Vo1．23，NO．3 2011年 3月 HIGH POW ER LASER AND PARTICIE BEAM S M ar．。2011 文章编号 ： 1001—4322(2011)03—068104 强辐射源用铜纳米线阵列靶的结构与性能 牛 高， 谭秀兰，韩尚君， 李 恺， 李 佳， 黄文忠， 罗江山 (中国工程物理研 究院 激光聚变研究中心 ，四JIJ绵阳 621900) 摘 要 ： 采用多孑L阳极氧化铝 (AA0)模板脉冲 电沉积法制备 了强辐射源用铜纳米线阵列靶 ，并用扫描 电子显微镜 (SEM)、能谱 (EDs)和 x射线衍射 (xRD)对其进行了结构表征 。结果表明：去除 AAO模板后铜纳 米线平均直径 比去 除 AAO模板前的平均孔径大 32 ，长度缩短 5 。对 电沉积 2000s的样 品进行铜纳米线 长度分布表征 ，结果显示 ：距离模板 圆心越远 ，铜纳米线越长 。与超短脉冲激光相互作用实验结果表 明：纳米线 平均长度在 18～50a,m范 围内，铜 Ka光子产额先随纳米线长度增加而增加 ，当长度大于 33 ITI时 ，铜 Ka光子 产额开始下降。 关键词 ： 强辐射源 ； 铜纳米线阵列 ； 电沉积 ； 阳极氧化铝 中图分类号 ： TB383 文献标志码 ： A doi：10．3788／HPIP0681 受惯性约束聚变 “快点火”相关研究和高时空分辨强辐射源 (背光照相光源)需求的驱动，超短超强脉冲激 光与物质的相互作用成为近年的研究热点 j。相关研究表明，与普通固体靶材料相 比，类似天鹅绒 的金属纳 米线阵列靶 ，具有局部 的近固态密度和宏观的低密度 ，在产生较高 X射线增益 的同时并不显著延长 X射线脉 宽，是最具潜力的高时空分辨 X射线强辐射源材料之一 j。目前人们 已经采用模板沉积法 。】、磁控溅射 法l8、化学气相沉积法 j和液相法l1等制备出了金属纳米线阵列材料 ，其 中阳极氧化铝 (AAO)模板 电沉积法 是最常用的方法之一。但是相关 的研究主要集 中在制备出纳米线阵列结构 ，并表征其优异的磁学 、光学与电学 等方面的性能 ，而对于制备强辐射源靶纳米器件所涉及的具体问题却鲜有报道 ，比如纳米线的长度及其分布在 微纳尺度上的精确控制和科学表征、纳米线直径与模板孔径 的关系、纳米线的应力应变分析等理论和技术 问 题。根据激光打靶物理实验对靶材料的要求 ，本文对上述理论和技术 问题开展 了研究 ，制备了具有不同纳米线 长度和衬底厚度的铜纳米线阵列靶 ，对纳米线长度及其长度分布情况做 了统计表征 ，并分析了纳米线的 内应 力。 1 实 验 1．1 铜纳米线阵列靶 的制备 实验采用孔径 200nm、有效直径约 18mm 的圆片状多孔 AAO模板。在通孔 AAO模板的一面热蒸发一 层约 1／,m厚的铜膜做为 电沉积的阴极。电沉积后用质量分数为 10 的 NaOH 溶液浸泡 20min，并去除 AAo模板后 ，用无水乙醇清洗晾干装备成靶 。 利用示波器和串联在电路中的 1OQ标准取样电阻来监测脉冲电沉积参数。脉冲电沉积工艺参数为：频率 50Hz，占空比 1：10，水浴温度 25。C，峰值 电流 0．3A。 电解液成分为 ：硫酸铜 66．7g／L，硫酸 13．3mI／i，硼酸 0．33g／L，氯化钠 0．33g／L，柠檬酸三钠 0．33g／ L，聚乙二醇 0．1g／I，乳化剂 OP一1010滴 ／L，其余为二次去离子水 。 1．2 微观结构表征 用带能谱 (EDS)的扫描电子显微镜 (SEM)表征铜纳米线阵列的形貌 、纳米线长度及其分布等。用 x射线 衍射仪 (XRD)做物相分析并采用 sin 倾角法表征去除 AAO模板前后铜纳米线的内应力分布情况 。 1．3 激光打靶物理实验 打靶实验在 100Tw 靶室中进行 。激光脉宽 31fs，波长 800nm，靶面能量 1～5J，激光信噪 比10 ：1，光 * 收稿 日期 ：2010—04—07； 修订 日期 ：2O10—10—19 基金项 目：国家 自然科学基金项 目；等离子体物理 国防科技重点实验