Si基ZnO缓冲层溅射Ga2O3氨化反应生长GaN薄膜.pdfVIP

维普资讯 ．(-至竺 方瀣 Si基 ZnO缓冲层溅射 Ga203氨化反应 生长 GaN薄膜 王书运，庄惠照，高海永 (山东师范大学物理与电子科学学院，济南 250014) 摘 要：利用射频磁控溅射法在si(111)衬底上先溅射 ZnO缓冲层，再溅射GazO3薄膜 ，然后在 开管炉中分剐以850℃，900℃，950℃和 1000_C等温度及常压下通氨气进行氨化，反应生长 GaN 薄膜。利用该方法制备的GaN薄膜是沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿多晶结构，并且随着氨化 温度的升高，GaN 向棒状和线状形态生长。 关键词：Ga2O3薄膜 ；ZnO缓冲层；氨化 ；射频磁控溅射；扫描 电镜 ；透射 电镜 中图分类号：TN304．2 3 文献标识码：A 文章编号：1OO1—4O12(2OO5)O9一O456一O4