教学内容和要求.ppt

共源输出特性 uDS为自变量，iD为因变量， uGS为参变量的VCR曲线族 可变电阻区 恒流区(放大区) 截止区 uDS=uGS–UGS(th) iD /mA uDS /V 0 uGS=UGS(th) uGS=2UGS(th) IDO 放大区——uGS UGS(th)、uDS≥uGS–UGS(th)， uDS-iD曲线近似为不等间隔的平行线——iD与uGS表现出二次曲线关系；每条曲线随uDS的增大而略有抬升——相同uGS条件下iD略有增大 可变电阻区——uGS UGS(th)、uDS uGS –UGS(th)，iG与uGS表现出另外的非线性关系 截止区—— uGS UGS(th)，iD和iS均为零 放大区的共源转移特性 uGS /V 0 iD /mA UGS(th) ③ 增强型MOS场效应管的主要参数 开启电压UGS(th) 厄利电压UA 直流输入电阻RGS 低频跨导gm 极间电容Cgs、Cgd和Cds 最大漏极电流IDM 击穿电压UBR 最大漏极耗散功率PDM ④结型和耗尽型MOS场效应管的主要参数 夹断电压UGS(off) 饱和漏极电流IDSS 厄利电压UA 直流输入电阻RGS 低频跨导gm 极间电容Cgs、Cgd和Cds 最大漏极电流IDM 击穿电压UBR 最大漏极耗散功率PDM uGS=0可工作在恒流区的场效应管有哪几种？ uGS＞0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种？ uGS＜0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种？ 恒流区 电流： ⑤场效应管与晶体管的比较 场效应管内部只有多子运动——单极型管，晶体管内部既有多子运动又有少子运动——双极型管 场效应管由电压uGS控制电流iD，晶体管由电流iB控制电流iC 场效应管温度稳定性优于晶体管 场效应管输入电阻高于晶体管 场效应管源极与漏极可以互换，晶体管发射极与集电极不能互换 2、 N沟道增强型MOS场效应管模型 由N沟道增强型MOS场效应管组成的电子电路 + + - - ui uO RD RG UDD UGG RL ui足够小条件下，将静态工作点Q附近场效应管特性线性化，根据叠加定理，场效应管电压uGS = UGSQ+ugs、uDS = UDSQ+uds，电流iD = IDQ+id ——电子电路的动态分析=静态分析+交流小信号分析 电子电路的静态分析——静态工作点Q——偏置UGG、UDD单独作用时场效应管电压UGSQ、UDSQ，电流IDQ 电子电路的交流小信号分析——静态工作点Q附近——交流小信号ui单独作用时场效应管电压ugs、uds，电流id 偏置UGG、UDD单独作用时 图解——输出电路线性部分——输出直流负载线 输出电路非线性部分——场效应管输出特性 + - UO RD RG UDD UGG RL 在允许一定误差条件下，将场效应管输出特性用折线近似 UDD iD /mA uDS /V 0 uGS=UGS(th) uGS=2UGS(th) IDO uDS=uGS–UGS(th) ①场效应管的直流模型 场效应管输入特性与开路的VCR曲线在功率允许和偏置条件下吻合 场效应管在功率允许和偏置条件下的输入端可以抽象为开路 UGG iG/μA uGS/V 用于近似场效应管输出特性放大区的折线与电压控制电流源的VCR曲线在功率允许和偏置条件下吻合 晶体管在功率允许和放大偏置条件下的输出端可以抽象为电压控制电流源 iD /mA uDS /V 0 uGS=UGS(th) uGS=2UGS(th) IDO uDS= uGS–UGS(th) UGSUGS(th) UDS≥UGS–UGS(th) UGSUGS(th) IG=0 UDS + - UGS + - ID=0 ID IG UDS + + - - UGS IG=0 UDS + - UGS + - ID 交流小信号ui单独作用时 + - uo RD RG RL + - ui 图解——输出电路线性部分——输出交流负载线 输出电路非线性部分——场效应管输出特性 在允许一定误差条件下，将静态工作点Q附近晶体管输出特性小范围内用切线近似 Q uds id iD /mA uDS /V 0 uGS=UGS(th) uGS=2UGS(th) IDO 在小范围内这些切线近似为等间隔，转移特性id = gmuds ②场效应管放大区的交流小信号模型 用于近似静态工作点Q附近场效应管输出特性小范围内的切线与电压控制电流源和动态电阻组合的VCR曲线在交流小信号条件下吻合 场效应管在静态工作点Q附近交流小信号条件下的输出端可以抽象为电压控制电流源和动态电阻组合 Q uds id Q附近 ig = 0 uds + - ugs + - id rds id ig uds + + - - ugs 电路如侧，若 解：由 作业：(P183)14 * 最大集电