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半导体二极管及其基本电路 有关半导体的基本概念 2-1 半导体的基本知识 本征半导体 硅和锗的共价键结构 硅和锗的共价键结构 杂质半导体 N型半导体 N型半导体 P型半导体 P型半导体 杂质半导体的示意表示法 2-2 PN结的形成及特性 PN结的形成 PN结处载流子的运动-1 PN结处载流子的运动-2 PN结处载流子的运动-3 PN结正向偏置 PN结反向偏置 PN结的单向导电性 2-3 半导体二极管 基本结构 二极管的实物 二极管的实物 二极管的实物 伏安特性 二极管的参数 2-4 二极管基本电路 及其分析方法 二极管常用模型 二极管常用模型 举例 举例 举例 举例 举例 2-5 特殊二极管 稳压二极管（齐纳二极管） 稳压二极管主要参数 稳压电路 举例 发光二极管 光电二极管 光电二极管的伏安特性 应用 作业 仿真练习 请继续学习…… 例1. 二极管为理想二极管：死区电压为0 ，正向压降为０。 RL ui uO ui uo t t 二极管半波整流 例２．开关电路 电路如图所示，求AO的电压值 解： 先断开D，以O为基准电位，既O点为0V。则接D阳极的电位为-6V，接阴极的电位为-12V。 阳极电位高于阴极电位，D接入时正向导通。 导通后，D的压降等于零，即A点的电位就是D阳极的电位。 所以，AO的电压值为-6V。 例3．限幅电路 图中理想二极管，ui = 10 sinωt (V)，Vref = 3V/-3V，画uo波形 R ui uO Vref 例4．逻辑运算 图中理想二极管，推导Y与A、B的逻辑关系 A 5V 4.7k B Y 例8．无线电检波 例6．降压（12V降为10V） 例7．电源保护 例5．稳压（低压） 2-5-1 稳压二极管 2-5-2 变容二极管 2-5-3 光电子器件 1 光电二极管 2 发光二极管 3 激光二极管 IZmax - + 稳压二极管符号 U I UZ IZ 稳压二极管特性曲线 IZmin 稳压二极管工作在反向击穿状态，当工作电流 IZ 在Izmax 和 Izmin 之间时，其两端电压近似为常数 正向同二极管 工作电流 稳定电压 (1)稳定电压VZ (2)动态电阻rZ 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 rZ =?VZ /?IZ (3)最大耗散功率 PZM (4)最大稳定工作电流IZmax和最小稳定工作电流IZmin (5)稳定电压温度系数——?VZ 正常稳压时VO =VZ * 稳压条件是什么？ IZmin ≤ IZ ≤ IZmax * 不加 R 可以吗？ * 上述电路VI为正弦波，且幅值大于VZ ， VO的波形是怎样的？ 例1．R = 100Ω，VZ = 6V， VI = 16V，IZ = 5 ~ 40 mA， 求 RL 的范围。 例2．R = 500Ω，VZ = 6V，IZ = 2 ~ 25 mA， （1）VI = 15V，RL = 2kΩ，能否正常工作。 （2）VI = 10V，RL = 800Ω，工作如何。 （3）VI = 20V，RL 开路，能否正常工作。 例3．Proteus举例。 (a)伏安特性 (b)工作在第一象限的等效电路 (c)工作在第三象限的等效电路 (d)工作在第四象限的等效电路 光电对管 ST159 ST168 光耦 TLP521 1.2、1.3、1.4、1.6、1.7 请设计一个+5V/1A直流稳压电源，用一个发光二极管指示电源的工作状态。 选择合适的电路元件 用电压表测量各处电压。 用示波器观察各处波形。 测量是否满足指标要求。 (2) +5V直流电源 * * 2-1 半导体的基本知识 2-2 PN结的形成及特性 2-3 半导体二极管 2-4 二极管基本电路及其分析方法 2-5 特殊二极管 本征半导体、杂质半导体 自由电子、空穴 N型半导体、P型半导体 多数载流子、少数载流子 施主杂质、受主杂质 扩散、漂移 本征半导体——化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈晶体形态。 现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。 Si14 硅原子 Ge32 锗原子 共价键共 用电子对 +4 +4 +4 +4 +4表示除去价电子后的原子 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。 形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。 共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。 +4 +4 +4 +4 　　在本征半导体中掺入某些微量元素作