径向三重流MOCVD反应器输运过程的数值模拟.pdfVIP

第 26 卷 　第 5 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 5 2005 年 5 月 　　 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S 　　May ,2005 径向三重流 MOCVD 反应器输运过程的数值模拟 1 1 2 左 　然 　张 　红 　刘祥林 ( 1 江苏大学能源与动力工程学院 , 镇江 　2 120 13) (2 中国科学院半导体研究所 , 北京 　100080) 摘要 : 对径向三重流 MOCVD 反应器的输运过程进行了二维数值模拟研究. 在模拟计算中 ,分别改变反应腔几何 尺寸 、导流管位置 、流量 、压强 、温度等条件 ,得到反应器流场 、温场 、浓度场的相应变化. 根据对模拟结果的分析 ,发 现反应腔内涡旋首先在流动的转折处产生 ,上下壁面温差的加大使涡旋增大 , 中管进 口流量的增加对涡旋产生抑 制作用 , 内管和外管流量的增加对涡旋产生扩大作用. 得出输运过程的优化条件为 :反应腔上下壁靠近 ,导流管水 平延长 ,中管进 口流量尽量大于内、外管流量 ,压强尽量低于 105 Pa ,上下壁面温差尽量减小等. 关键词 : MOCVD ; 输运过程 ; 热对流 ; 数值模拟 PACC : 8115 H ; 4725Q 中图分类号 : TN 304054 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 器[ 1～3 ] , 对 于 近 年 来 迅 速 发 展 且 特 别 适 用 于 1 　引言 MOCVD 的行星式反应器内部的输运过程仍缺乏了 ( 解 ,研究仅局限在特定的反应器结构和生长过程 如 ( ) ) 金属有机化学气相沉积 MOCVD 通常发生在 商用的 Aixt ron 反应器 ,缺少各种参数的变化对反 ( ) ( 5 4 ) 应器的影响[4～6 ] . 特别是对于不同的反应腔结构和 高温 约 800～1000 ℃ 和常压至低压 10 ～10 Pa 下. 在此条件下 ,化学反应和表面动力学速率都大大 进口流量如何影响反应器的输运过程 ,至今未见报 高于反应粒子的输运速率. 因此 ,薄膜生长速率主要 道. 取决于反应粒子输运到生长表面的速率 , 即生长受 本文介绍利用 CFD 计算软件 FL U EN T ,对中 输运过程控制. 在反应器中 , 同时存在着强迫对流 、 国科学院半导体研究所自行设计的垂直三重进口径 热对流 、浓度扩散 、热扩散等输运过程 ,它们之间相 向流动 MOCVD 反应器的输运过程进行二维数值 互作用 ,并且与气相和表面化学反应耦合在一起 ,造 模拟研究的初步结果. 在模拟计算中 ,分别改变反应 成生长界面附近气体温度和反应粒子浓度随时间和 器托盘直径 、流道高度 、导流管位置和形状 、载气进 空间变化 ,成为薄膜生长的组分和厚度不均匀的主