微结构对Eu掺杂Bi_4Ti_3O_12_铁电薄膜铁电性能的影响_吕业刚.pdfVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 60 ，No. 2 (2011) 027701 Eu Bi Ti O 微结构对 掺杂 4 3 12 铁电 薄膜铁电性能的影响* 吕业刚1)2 ) 梁晓琳1) 谭永宏1) 郑学军2 ) 龚跃球2 ) 何 林2 ) 1)( ， 425 100 ) 湖南科技学院电子工程系 永州 2 )( ， 4 11105 ) 湘潭大学材料与光电物理学院 湘潭 (20 10 5 9 ;20 10 6 13 ) 年 月 日收到 年 月 日收到修改稿 采用金属有机物分解法在 Pt / Ti / Si (111)基底上制备了退火温度分别为 600 ℃ ，650 ℃ ，700 ℃ 的 Bi3. 15 Eu0 . 85 Ti O (BET ) ， ， BET 3 12 铁电薄膜 并对其结构及铁电性能进行了测试 再使用扫描探针显微镜对 薄膜的电畴翻转进行了 . BET c 180 ° + 6 V ， r ， + 12 V 实时观测 薄膜 畴发生 畴变的最小电压为 而 畴由于其高四方性 即使极化电压增至 也不 . c ， ，c ，BET 会发生翻转 薄膜的铁电性主要源于 畴的极化 随着退火温度的升高 畴的区域面积增加 薄膜的剩余极化 . 700 ℃ BET 84 C / cm2 . 强度随之增大 退火温度为 的 薄膜剩余极化强度达到 μ : ， ， 关键词 铁电薄膜 电畴翻转 扫描探针显微镜 PACS :77 . 55 . fp ，75 . 70 . Kw ，68 . 37 . Pa . 膜应用于铁电存储等器件至关重要 观测畴结构强 (SPM )， 1. 引 言 而有力的手段有扫描探针显微镜 其压电响 应模式已成为国际上研究铁电现象的一种标准方