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内建电场对应变多量子阱带阶的影响.pdf

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内建电场对应变多量子阱带阶的影响 许丽萍 !华北工学院理学系山西 太原 # VW= 摘要!隧穿电流的大小依赖于带阶的大小$ 内建电场会改变多量子阱的结构使其由方阱变为斜 阱导致其带阶发生改变$本文定量地给出了由内建电场导致的价带阶变化及其斜率$对沿任意 方向生长的立方超晶格系统当其特征厚度小于临界值!欠临界系统#时给出了内建电场与应变的 定量关系$针对不同的量子阱系统当生长方向沿着% 方向时计算了三种类型’ 种组分’由 === U= 内建电场引起的价带阶变化量$所有结果在线性领域及没有相变的情况下都是适用的$ 关键词!内建电场(应变(带阶 中图分类号! 文献标识码! 文章编号! # $ % :YSS :YR=hW 0 =MR=BYRRMUV RSB=LBV # # 8#%.()/#.7#’(9/%)1:#)#71$%7’.1#93.*’((0#10’(01$3%.#*+ I 37B7’ 1 ( ! # ’8,$@’$( .7 #%+# A(,$767%8!#$%$$’( B’+7(-( B8%8VW= 67%8 ? ) 3 ) 03 3 $ A901$371 Q*’’27’ 9*,,’+G/’/.’+%54’/.--G+GEQ% .+’+742 ,.-72G.-H?N P7225 ( 1 1 1 9%4’ //*+.5*72+B7’29+,79-72/G -,.C G*4,P22G7’+.G2. /P22G P%79%24/+.+%7’B ( T 1 9,C’+G.-54’/.--G+GEQ%/’/’9.-+%54’/.--G+G4’/G2. G.-+%P22G.’+%5*72+B 1 1 7’29+,79-72/G%4J5’ 7J’ *4’+7+4+7J2EX.,9*579GG+CG ,.P’7’4,57+,4, /7,9+7.’ ( T 6 6 ( 6 ! # *’/,9,7+794294GG +%-*’9+7.’,24+7.’G%7G5+P’5*72+B7’29+,79-72/G4’/G+,47’GP4, 1 ! # 7J’EQ%7’9,C’+G.-54’/.--G+G7’+%,+ G U=94GG %4J5’9429*24+/ P%79

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