CMOS无线接收机体系结构的分析及其集成性的考虑.pdfVIP

维普资讯 第 l8卷第 2期 重庆邮电学院学报(自然科学版) Voi．18 No．2 2006年 4月 JournalofChongqingUniversityofPostsandT (NaturalScience) Apr．2006 文章编号：1004—5694(2006)02—0167—04 CMOS无线接收机体系结构的分析及其集成性的考虑． ． 潘武，叶健辉 (重庆邮电学院 微光机电系统研究所，重庆 400065) 摘 要：介绍了几种典型的无线接收机体系蛄构，对不同的姑构在性能上进行了比较，分析了各种体系结构的可集 成性。提 出了利用微机电系 (MEMS)技术，采用新的元器件以厦数字化中频技术来提高接收机集成度的方法。 关键词 ：接收机I体 系结构}CMOS集成}微机 电系统 中图分类号：TN859 文献标识码 ：A 变频通常为正交，以使 同相和正交信号的数字处理 0 引 言 变得容易些。对于超外差接收机的设计，主要考虑 移动通信的迅猛发展，对低功耗、高性能、低价 的是镜像抑制与信道干扰抑制的平衡，所 以IF(中 格、高可靠性的接收机需求进一步增加，使提高接收 频)的选择很关键，因为在频域中有用信号和镜像信 机的集成度成为必要，尤其是在提高接收机的射频 号相差 2 。若 IF选择得高，有利于抑制镜像干 前端集成度方面更是如此。随着CMOS工艺向亚 扰，能降低对镜像滤波器的指标，但是其邻近信道里 微米、深亚微米发展，以前一般采用 GaAs(砷化 的干扰信号能量却也保持较高，这就对 IF的要求提 镓)、Bipolar或 BiCMOS工艺才能实现的射频前 高了。相反，若 IF选择得低，邻近信道干扰信号能 端，如今采用 CMOS集成电路也能实现[1]，现在采 得到较好的解决，可是镜像信号却难于处理 因此 用CMOS工艺的射频前端的单位增益截止频率已 镜像干扰和信道选择所要选择外接高Q(品质因数) 经接近GaAs[。] 为了进一步提高实现 CMOS射 值带通滤波器，增大了接收机的成本和尺寸，由于现 频集成电路的集成度，实现 SOC(片上系统)，需要 在一般 IR滤波器、IF滤波器都采用外接式的SAw 从系统级、电路级、工艺级这 3个层次对无线接收机 (声表面波)滤波器，这就增大了采用 CMOS工艺集 进行研究改进[4]。在本文中我们对几种经典的接收 成带来的困难 。另外 ，由于片外外接 IF无源滤波器 机系统结构进行分析讨论，提出了几种方法来实现 和 IR无源滤波器的低阻抗以及驱动引脚和封装带 减少甚至消除接收机中射频前端的片外器件、无源 来的容性负载导致高能耗。这是我们采用超外差体 器件，提高接收机的集成度，以及降低系统对射频前 系结构来设计接收机主要考虑和需要改进的地方 。 端系统技术指标的要求。 当然，超外差体系结构通过选择适当的中频和滤波 器可 以获得极佳的选择性和灵敏度 ，而且对于 DC 接收机的体系机构分析 (直流)补偿和泄漏问题不需要考虑得太多，这些使 得超外差接收机被认为是最可靠的接收机拓扑结 1．1 超外差式接收机体系结构 构，一般认为不适合集成，不适合做成单片接收机系 超外差体系结构[5]是我们平常见得