BaTiO3-Nb2O5-Ni2O3三元系统的介电性能研究.pdfVIP

维普资讯 第 21卷 第 2期 无 机材 料 学报 Vo1．21，NO．2 2006年 3月 JournalofInorganicMaterials M ar．，2006 文章编号：1000—324x(2oo6)o2—0369-06 BaTiO3．Nb2O5．Ni2O3三元系统的介电性能研究 王 升，张树人，周晓华，李 波，陈 祝 f电子科技大学微 电子与固体 电子学院，成都6~oo54) 摘 要；对三元系统 BaTiO3一Nb2O5一Ni2O3的微结构和介电性能进行了研究．XRD分析表明 Nb2O5／Ni2O3协同掺杂的BaTiO3陶瓷为赝立方相结构；在掺杂 1．0mo1％Ni的BaTiO3中， Nb的固溶度 4．0mo1％．SEM 观察表明，随Nb掺杂量的增加，BaTiO3陶瓷的晶粒尺寸先增 大后减小． BaTiO3陶瓷的室温介电常数、介质损耗，以及在低温端和高温端的电容变化率都 随 Nb含量的增加而先增大后减小． DSC测量表明，Nb掺杂使 BaTiO3陶瓷的居里温度向 高温方 向移动．该系统瓷料介电性质的变化与材料的晶粒