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无机材料学报
维普资讯
第 19卷 第4期 无 机 材 料 学 报 Vo1.19.NO.4
2004年 7月 July.,2004
文章编号:1000—324X(2004)04—0907—05
HWP—CVD氮化硅薄膜的结构和光学特性
于 威 ,侯海虹 ,何 杰 ,王华英2,傅广生
(1.河北大学物理科学与技术学院,保定071002;2.河北建筑科技学院数理部,邯
郸 056000)
摘 要:采用傅立叶红外吸收谱和紫外一可见透射谱研究了螺旋波等离子体增强化学气相沉
积法制备的氢化非晶氮化硅薄膜的原子间键合结构和光学特性.结果表明,在不同硅、氮活性
气体配比R下,薄膜表现出不同的Si/N比和H原子键合方式,富氮样品中H原子主要和N
原子结合,而富硅样品中主要和Si原子结合.随着R的增加,薄膜的光学带隙E 和 岛4逐
渐减小,此结果关联于薄膜结构无序性程度的增加,而薄膜的(Eo
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