衬底温度对PLD方法生长的ZnO薄膜结构和发光特性的影响.pdfVIP

维普资讯 第 21卷 第 4期 无 机 材 料 学 报 v01．21．NO．4 2006年 7月 JournalofInorganicM aterials Ju1．，2006 文章编号：1000～324X(2006)04-1005—06 衬底温度对 PLD方法生长的ZnO薄膜结构和 发光特性的影响 孙 柏，邹崇文，刘忠 良，徐彭寿，张国斌 (中国科学技术大学国家 同步辐射实验室，合肥 230029) 摘 要： 在不同的衬底温度下，通过脉冲激光淀积的方法在 si衬底上生长 出C轴高度取向的 ZnO薄膜．ZnO薄膜的结构和表面形貌通过 x射线衍射和原子力显微镜表征．同时以He-Cd 激光和同步辐射作为激发源来测试样品的发光特性．实验结果表明，在衬底温度为 500。C时生 长的 ZnO薄膜具有非常好的晶体质量，并且表现出很强的紫外发射．在用同步辐射为激发源 的低