导电玻片上氧化亚铜膜的电沉积和表征.pdfVIP

维普资讯 第 20卷 第 2期 无 机 材 料 学 报 Vo1．20，NO．2 2005年 3月 JournalofInorganicMaterials Mar．，2005 文章编号：1000．324X(2005)02—0367—06 导电玻片上氧化亚铜膜的电沉积和表征 陈志钢，唐一文，贾志杰，张丽莎，李家麟，余 颖 (华中师范大学物理科学与技术学院纳米科技研究院，武汉430079) 摘 要：研究了用简单铜盐通过阴极还原氧化亚铜的电化学行为，讨论了一些工艺因素对 在导电玻片上电沉积Cu20薄膜的影响，并对所制备的Cu20薄膜分别用台阶仪、x射线 衍射仪 (XRD)、扫描电镜 (SEM)、X射线光电子能谱 (XPS)进行表征．得到的较佳工艺 条件为：电势一0．22—一0．45V(vsSCE)，温度为60。C，pH值为5．5～6．0，(CH3COO)2Cu浓度为 0．015~0．04mol／L．表征结果发现，随池温的升高，晶粒尺寸从