分子束外延PbTe%2fCd0.98Zn0.02Te异系材料的微结构特性研究.pdfVIP

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分子束外延PbTe%2fCd0.98Zn0.02Te异系材料的微结构特性研究.pdf

无机材料学报

维普资讯 第 23卷 第 3期 无 机材 料 学报 Vol_23.NO.3 2008年 5月 JournalofInorganicMaterials M ay,2008 文章编号:1000—324X(2008)03—0545—04 分子束外延 PbTe/Cd0.98Zn0.02Te异系材料的微结构特性研究 斯剑霄 ,吴惠桢 ,徐天宁 ,夏明龙 ,王擎雷 , 陆叶青 ,方维政 2,戴 宁2 (1.浙江大学 物理系,杭州 310027;2.中国科学院 上海技术物理研究所,上海 200083) 摘 要: 采用分子柬外延方法在 II-VI族 Cdo.9sZno.o2Te(1l1)衬底上实现了异系IV—VI族半导体 (PbTe)的外 延生长.原子力显微镜 (A

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